[发明专利]一种阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别涉及一种阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置。

背景技术

目前TFT-LCD（Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器）生产线主要分为Array（阵列）、CF（Color Filter，彩色滤光片，又称为彩膜）、Cell（成盒）、Module（模组）四个工艺流程。其中Array段负责在TFT基板上形成TFT阵列，主要负责TFT基板上金属层信号线和各个像素电容单元的制成，最后得到TFT阵列基板。CF段主要负责CF基板上BM（Black Matrix，黑矩阵)层、RGB层(红绿蓝层，即彩膜层)以及透明导电层等的制成。Cell段的工序负责将制作好的TFT阵列基板和CF基板利用封框胶贴合在一起，形成一个完整的、闭合的显示面板，主要包括配向膜的印刷，配向膜取向制成，液晶滴入，封框胶固化等步骤。Module段主要包括将制作好的显示面板贴上偏光片和PCB驱动电路后，与背光源组装，形成一个最终的显示模组成品。

Cell段TFT阵列基板和CF基板贴合之前，还需要对TFT阵列基板进行Array Test（阵列测试），将TFT阵列基板和CF基板贴合后，还需要进行Cell Test（点屏测试），在阵列测试或者是点屏测试过程中都需要在玻璃基板（Glass）上设置相应的Pad（即信号接入端子），包括AT Pad（阵列测试信号接入端子）和CT Pad（点屏测试信号接入端子）。其中点屏测试可以在对盒之后、cutting之前，还可以在cutting之后进行。由于Pad的存在，导致Pad区域和显示区域存在比较明显的高度差，导致显示面板表面平坦度很差，后续进行配向膜Rubbing（即取向制成）过程中沿着Pad方向存在Rubbing强度差异，影响取向膜的成膜效果，产生Mura不良，最后得到的液晶屏表面亮度不均匀。

发明内容

（一）要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是如何降低Pad区域和显示区域的高度差，提高显示面板平坦度，改善Mura不良。

（二）技术方案

为解决上述技术问题，本发明提供了一种阵列结构，包括栅电极和栅绝缘层，所述栅绝缘层和所述栅电极之间具有凹槽，所述栅电极下方的栅绝缘层经过曝光被刻蚀掉。

进一步地，所述凹槽用于放置进行测试操作的信号接入端子。

进一步地，所述信号接入端子为阵列测试信号接入端子和点屏测试信号接入端子。

进一步地，所述栅电极、所述栅绝缘层以及所述凹槽上具有钝化层，并将所述栅电极上方刻蚀掉所述钝化层。

进一步地，所述钝化层被刻蚀的位置上方具有透明电极层。

为解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种阵列结构的制作方法，包括：在玻璃基板上形成栅电极之前，对所述栅电极对应的位置进行曝光，刻蚀掉栅绝缘层，在所述栅电极和所述栅绝缘层之间形成凹槽。

进一步地，所述凹槽用于放置进行测试操作的信号接入端子。

进一步地，所述信号接入端子包括阵列测试信号接入端子和/或点屏测试信号接入端子。

进一步地，在所述玻璃基板上所述栅电极、所述栅绝缘层以及所述凹槽上具有钝化层，并将所述栅电极上方刻蚀掉所述钝化层。

进一步地，所述钝化层被刻蚀的位置上方形成透明电极层。

为解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种阵列基板，在玻璃基板上形成阵列结构，所述阵列结构为以上所述的阵列结构。

为解决上述技术问题，本发明实施例还提供了一种显示装置，所述显示装置包括以上所述的阵列基板。

（三）有益效果

本发明实施例提供了一种阵列结构及其制作方法、阵列基板和显示装置，其中阵列结构包括栅电极和栅绝缘层，所述栅绝缘层和所述栅电极之间具有凹槽，所述栅电极下方的栅绝缘层经过曝光被刻蚀掉。本发明实施例提供的阵列结构，通过栅电极以及信号接入端子对应的位置经过曝光工艺，刻蚀掉栅绝缘层，在栅电极和刻蚀剩余的栅绝缘层之间形成凹槽，由于凹槽的位置低于其它层结构，用以放置阵列测试或者点评测试等测试用的信号接入端子，通过这种凹槽的设计能够降低信号接入端子与显示区域的高度差，提高显示面板表面的平坦度，进一步提高取向的均匀效果，改善取向过程中由于高度差导致的取向差异产生的Mura不良现象，提高产品特性。

附图说明

图1为现有技术测试阶段中具有各种测试功能的信号接入端子与显示面板的连接关系示意图；

图2为取向过程中信号接入端子设置位置示意图；