[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
申请号: | 201310575107.4 | 申请日: | 2013-11-15 |
公开(公告)号: | CN103579257A | 公开(公告)日: | 2014-02-12 |
发明(设计)人: | 李琳;郝昭慧;蔡振飞 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 李迪 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及显示装置,尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。
背景技术
显示装置如液晶显示器以及LED显示器都包括阵列基板。阵列基板上设有栅线、数据线以及修复线;通常一条栅线用以开启一行像素,所述数据线用以逐个扫描每一像素以提供电压,从而实现每一个像素独立控制的显示。所述阵列基板包括显示区域以及非显示区域,所述栅线、数据线均在显示区域以及非显示区域都有。所述修复线设计在阵列基板的非显示区域内,当出现数据线断开用于数据线的修复。具体的修复方式为:以数据线的断点为分割点;数据线的前半段依然由数据线从上往下灌电压,数据线的后半段由修复线与数据线导通,驱动电路从修复线由下往上将电压灌入数据线中,从而避免出现显示的暗线导致显示不良。
但是通常出于缩小非显示区域的面积以及制作工艺的简化,所述修复线的条数有限且通常为两条。正常情况下,修复线与数据线相交处,通过绝缘层隔离;但在生产过程中伴随着各种形式的静电,很容易导致数据线与修复线之间的静电击穿,修复时通常在击穿处将修复线隔断,这样修复线就不能再使用了。此外在生产过程中,还伴随着其他修复线损坏的问题,修复线本身损坏了就会影响其对数据线的修复。修复线本身坏了,当数据线出现问题时,就没有办法再次修复,从而导致报废率高,生产成本低等问题。
发明内容
(一)发明目的
针对上述问题,本发明提供一种能缓解因修复的损坏导致的报废率高的阵列基板及其制作方法、显示装置。
(二)技术方案
为达上述目的,本发明阵列基板,包括第一修复线,还包括若干根用于修复所述第一修复线的第二修复线;所述第一修复线与所述第二修复线相交,且两者之间设有绝缘层。
优选地,所述第一修复线为若干根;每一根所述第二修复线,均与每一根所述第一修复线相交。
优选地,所述阵列基板还包括若干根数据线;所述数据线与所述第一修复线相交,且两者之间设有绝缘层;
所述第二修复线的条数与所述数据线的条数相等,且与所述数据线交错分布。
优选地,所述阵列基板还包括若干根数据线;所述数据线与所述第一修复线相交,且两者之间设有绝缘层;
所述第二修复线呈U字型,且所述数据线与所述第一修复线相交处位于所述U字型内部。
优选地,所述阵列基板还包括薄膜晶体管;所述薄膜晶体管包括源极和漏极;所述第二修复线与所述源极和漏极构成材质相同。
优选地,所述阵列基板还包括像素电极;所述第二修复线与所述像素电极构成材质相同。
为达上述目的,本发明显示装置,,包括如上所述的阵列基板。
为达上述目的,本发明阵列基板的制作方法,包括形成第一修复线的步骤,还包括形成若干根用以修复第一修复线的第二修复线的步骤以及形成第一修复线与第二修复线之间绝缘层的步骤;
其中,所述第一修复线与所述第二修复线相交。
进一步地,还包括形成薄膜晶体管的源极和漏极的步骤;所述第二修复线与所述源极和漏极同步形成。
进一步地,还包括形成像素电极的步骤;所述第二修复线与所述像素电极同步形成。
(三)本发明阵列基板及其制作方法、显示装置的有益效果
本发明阵列基板及其制作方法、显示装置,通过第二修复线的引入,可以用来修复第一修复线(在本发明中所述的第一修复线即为现有的用来修复数据线的修复线)从而可以在第一修复线损坏时,对第一修复线进行修复,从而减少了因数据线和第一修复线同时损坏,导致的报废,从而降低了报废率,从而有利于降低报废率以及生产成本。
附图说明
图1为本发明实施例一所述的阵列基板的局部结构示意图之一;
图2为本发明实施例一所述的阵列基板的局部结构示意图之二;
图3为本发明实施例二所述的显示装置的结构示意图。
具体实施方式
下面结合说明书附图以及实施例对本发明做进一步的说明。
实施例一:
本实施例阵列基板,包括第一修复线,还包括若干根用于修复所述第一修复线的第二修复线;所述第一修复线与所述第二修复线相交,且两者之间设有绝缘层。
第一修复线即认为是现有的阵列基本中的修复线,所述第二修复线是用来修复第一修复线的,正常情况下互不导通,从而之间设有绝缘层,在第一修复线出现了断点,可以采用相对应处的第二修复线形成修复桥接;具体的可以通过镭射击穿第一修复线和第二修复线相交处的绝缘层,连接形成连接通路。
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