[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201310575107.4 | 申请日： | 2013-11-15 |
| 公开（公告）号： | CN103579257A | 公开（公告）日： | 2014-02-12 |
| 发明（设计）人： | 李琳;郝昭慧;蔡振飞 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 李迪 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板，包括第一修复线，其特征在于，还包括若干根用于修复所述第一修复线的第二修复线；所述第一修复线与所述第二修复线相交，且两者之间设有绝缘层。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述第一修复线为若干根；每一根所述第二修复线，均与每一根所述第一修复线相交。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括若干根数据线；所述数据线与所述第一修复线相交，且两者之间设有绝缘层；
所述第二修复线的条数与所述数据线的条数相等，且与所述数据线交错分布。
4.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括若干根数据线；所述数据线与所述第一修复线相交，且两者之间设有绝缘层；
所述第二修复线呈U字型，且所述数据线与所述第一修复线相交处位于所述U字型内部。
5.根据权利要1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括薄膜晶体管；所述薄膜晶体管包括源极和漏极；所述第二修复线与所述源极和漏极构成材质相同。
6.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括像素电极；所述第二修复线与所述像素电极构成材质相同。
7.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
8.一种阵列基板的制作方法，包括形成第一修复线的步骤，其特征在于，还包括形成若干根用以修复第一修复线的第二修复线的步骤以及形成第一修复线与第二修复线之间绝缘层的步骤；
其中，所述第一修复线与所述第二修复线相交。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括形成薄膜晶体管的源极和漏极的步骤；所述第二修复线与所述源极和漏极同步形成。
10.根据权利要求8所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，还包括形成像素电极的步骤；所述第二修复线与所述像素电极同步形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
