[发明专利]晶体管及其制作方法

权利要求书

1.一种晶体管的制作方法，其特征在于，包括：

提供衬底，

在所述衬底上形成第一伪栅和位于所述第一伪栅侧壁上的第一侧墙；

以所述第一侧墙为掩模，分别在所述第一伪栅两侧的衬底中形成第一沟槽；

在所述第一伪栅两侧的第一沟槽中分别形成第一应力层；

去除所述第一侧墙，并在所述第一伪栅的侧壁形成第二侧墙；

在所述第二侧墙露出的所述第一应力层上形成第二伪栅；

去除所述第一伪栅，露出所述衬底在第一应力层之间的部分；

在所述衬底在第一应力层之间的部分中形成第二应力层，所述第二应力层提供的应力与所述第一应力层提供的应力类型相反；

在所述第二应力层中形成源区或者漏区。

2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在提供衬底的步骤中，所述衬底为硅衬底。

3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第一伪栅的步骤中，所述第一伪栅采用硅作为材料。

4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第一侧墙的步骤中，所述第一侧墙为氮化硅侧墙或者氧化硅侧墙。

5.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第一沟槽的步骤中，所述第一沟槽为∑型沟槽。

6.如权利要求5所述的制作方法，其特征在于，采用干法蚀刻以及湿法蚀刻形成所述∑型沟槽。

7.如权利要求6所述的制作方法，其特征在于，所述湿法蚀刻采用四甲基氢氧化铵作为蚀刻剂。

8.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第一应力层的步骤中，采用选择性外延生长的方式形成所述第一应力层。

9.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第二侧墙的步骤中，所述第二侧墙为氮化硅或者氧化硅侧墙。

10.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第二伪栅的步骤中，所述第二伪栅采用硅作为材料。

11.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第二伪栅的步骤中，采用选择性外延生长的方式形成所述第二伪栅。

12.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在去除第一伪栅的步骤中，采用选择性蚀刻的方法去除所述第一伪栅。

13.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成第二应力层的步骤包括：去除所述衬底在第一应力层之间的部分，以形成第二沟槽；

在所述第二沟槽中形成所述第二应力层。

14.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，采用选择性蚀刻的方法去除所述衬底。

15.如权利要求13所述的制作方法，其特征在于，在形成第二应力层的步骤中，采用选择性外延生长的方式形成所述第二应力层。

16.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，形成第二应力的步骤包括：对所述衬底在第一应力层之间的部分进行离子掺杂，以在衬底中形成掺杂区域，所述掺杂区域为所述第二应力层。

17.如权利要求16所述的制作方法，其特征在于，所述晶体管为NMOS，所述衬底为硅衬底，采用碳离子进行离子掺杂，以形成碳化硅材料的第二应力层。

18.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于，在形成第一应力层的步骤中，所述第一应力层为锗硅应力层；在形成第二应力层的步骤中，所述第二应力层为碳化硅应力层。