[发明专利]电子电路和半导体装置

权利要求书

1.一种电子电路，包括：

第一电路，每个第一电路包括第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管的源极被提供第一电压和第二电压中至少之一；以及

第二电路，每个第二电路与相应的一个第一电路相关联，并且产生施加到所述第一场效应晶体管的反向偏置电压，以便根据所述第一电压和第二电压中至少之一的改变而改变。

2.如权利要求1所述的电子电路，其中，每个第二电路包括第一节点、第二节点、第三节点、第四节点、第一电阻器和第二电阻器，第二场效应晶体管以及电流源，所述第一节点被提供所述第一电压和第二电压中之一，所述第二节点被提供低于所述第一电压或高于所述第二电压的第三电压，通过所述第三节点输出反向偏置电压，所述第四节点被提供第四电压，所述第一电阻器和第二电阻器在所述第一节点和第二节点之间串联连接，所述第二场效应晶体管的源极被连接到所述第一节点，栅极被连接到所述第一电阻器和第二电阻器之间的节点，漏极被连接到所述第二节点，背栅被连接到所述第四节点，所述电流源在所述第二节点和第三节点之间连接并且对所述第一电阻器和第二电阻器提供电流。

3.如权利要求2所述的电子电路，其中，所述电流源包括第三电阻器和第三场效应晶体管，所述第三电阻器被连接在所述第二场效应晶体管的漏极和所述第二节点之间，所述第三场效应晶体管的源极被连接到所述第三节点，栅极被连接在所述第一场效应晶体管的漏极和所述第三电阻器之间，漏极被连接到所述第二节点。

4.如权利要求2或3所述的电子电路，其中，至少两个所述第二电路在所述第一电阻器和第二电阻器之间具有不同的电阻比值。

5.如权利要求2或3所述的电子电路，其中，至少两个所述第二电路被提供不同值的第四电压。

6.如权利要求2或3所述的电子电路，还包括产生第三电压的电荷泵。

7.如权利要求2或3所述的电子电路，还包括存储器电路和产生电路，所述存储器电路存储关于第四电压的信息，所述产生电路根据所述信息产生第四电压。

8.如权利要求7所述的电子电路，其中，至少一个所述第一电路包括PLL电路。

9.一种半导体装置，其包括半导体芯片，在所述半导体芯片中形成电子电路，

所述电子电路包括：

第一电路，每个所述第一电路包括第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管的源极被提供第一电压和第二电压中至少之一；以及

第二电路，每个所述第二电路与相应的一个第一电路相关联，并且根据所述第一电压和第二电压中至少之一的改变来产生施加到所述第一场效应晶体管的反向偏置电压，

所述半导体芯片具有多个块，每个块包括所述第一电路。

10.如权利要求9所述的半导体装置，其中，多个块包括被布置在所述半导体芯片的中心附近的块，所述块的面积小于布置在所述半导体芯片的边缘附近的块的面积。