[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

高级超维场转换技术（Advanced Super Dimension Switch，ADS），其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转，从而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高级超维场转换技术可以提高薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD）产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹（Push Mura）等优点。针对不同应用，ADS技术的改进技术有高透过率I-ADS技术、高开口率H-ADS和高分辨率S-ADS技术等。

图1为现有技术中HADS模式液晶面板阵列基板的结构示意图，如图1所示，现有技术中液晶面板的阵列基板包括：衬底1、公共电极401、栅极402、栅极绝缘层403、半导体层404、第一钝化层405、源极406a、漏极406b、第二钝化层407、像素电极408，其中，在公共电极所处区域的周边区域，将作为公共电极的透明导电薄膜通过过孔与阵列基板周边的公共电极金属线连接，从而达到为阵列基板传输电信号的作用。

但是现有技术的缺点在于：

在HADS的模式下，采用透明导电薄膜的公共电极的电阻大约在几百欧至几千欧，透明导电薄膜的电阻率高于金属的电阻率，因此导致公共电极的电阻较大，进而容易导致阵列基板的串扰和发绿（greenish）等现象，影响显示装置的画面品质。

发明内容

为了解决现有技术中公共电极的电阻大、导致的阵列基板的串扰和greenish等问题，本发明提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，为减少阵列基板的串扰和greenish等现象，提升显示装置的画面质量提供了可行的技术方案。

本发明提供一种阵列基板，包括：

一种阵列基板，包括衬底和位于所述衬底上的公共电极层，其特征在于，还包括与所述公共电极层位于不同层的导电层，所述导电层与所述公共电极层并联连接。

进一步地，所述导电层位于所述衬底的表面，所述公共电极层与所述导电层位于不同层。

其中，所述导电层的材质为金属层或透明导电薄膜。

进一步，所述阵列基板还包括：

位于所述导电层上方的绝缘层；

位于所述绝缘层上方的栅极；

位于所述栅极上方的栅绝缘层；

位于所述栅绝缘层上方的有源层；

位于所述有源层上方的源极和漏极；

位于所述源极和漏极上方的第一钝化层；

位于所述第一钝化层上方的像素电极；

位于所述像素电极上方的第二钝化层；

位于所述第二钝化层上方的公共电极；

其中，所述导电层与所述公共电极层通过过孔连接。

再进一步，所述导电层通过公共电极金属线与所述公共电极层连接。

其中，所述导电层在所述衬底上的投影区域与所述栅极在所述衬底上的投影区域不交叠。

进一步地，所述阵列基板还包括位于衬底表面的栅极，位于栅极表面的栅绝缘层，所述导电层位于所述栅绝缘层表面，所述公共电极层与所述导电层位于不同层。

其中，所述导电层的材质为金属层或透明导电薄膜。

本发明还提供一种显示装置，包括如上任一项所述的阵列基板。

本发明还提供一种阵列基板的制作方法，包括：形成在衬底上的导电层；

形成在导电层上的公共电极层，

其中，所述导电层与所述公共电极层并联连接。

进一步地，所述阵列基板的制作方法包括

在衬底表面形成导电层；

在所述导电层上方形成绝缘层

在所述绝缘层上方形成栅极；

在述栅极上方形成栅绝缘层；

在所述栅绝缘层上方形成有源层；

在所述有源层上方形成源极和漏极；

在所述源极和漏极上方形成第一钝化层；

在所述第一钝化层上方形成像素电极；

在所述像素电极上方形成第二钝化层；

在所述第二钝化层上方形成公共电极层；

其中，所述导电层与所述公共电极层通过过孔连接。

具体地，所述导电层与所述公共电极层通过公共电极金属线连接。