[发明专利]一种阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号: | 201310430676.X | 申请日: | 2013-09-18 |
| 公开(公告)号: | CN103474436A | 公开(公告)日: | 2013-12-25 |
| 发明(设计)人: | 张元波;秦纬;韩承佑;马若玉 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
| 代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 孟宪功 |
| 地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括衬底和位于所述衬底上的公共电极层,其特征在于,还包括与所述公共电极层位于不同层的导电层,所述导电层与所述公共电极层并联连接。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电层位于所述衬底的表面,所述公共电极层与所述导电层位于不同层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括:
位于所述导电层上方的绝缘层;
位于所述绝缘层上方的栅极;
位于所述栅极上方的栅绝缘层;
位于所述栅绝缘层上方的有源层;
位于所述有源层上方的源极和漏极;
位于所述源极和漏极上方的第一钝化层;
位于所述第一钝化层上方的像素电极;
位于所述像素电极上方的第二钝化层;
位于所述第二钝化层上方的公共电极层;
其中,所述导电层与所述公共电极层通过过孔连接。
4.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,所述导电层通过公共电极金属线与所述公共电极层连接。
5.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述导电层在所述衬底上的投影区域与所述栅极在所述衬底上的投影区域不交叠。
6.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板还包括位于衬底表面的栅极,位于栅极表面的栅绝缘层,所述导电层位于所述栅绝缘层表面,所述公共电极层与所述导电层位于不同层。
7.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述导电层的材质为金属或透明导电材料。
8.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1~7任一项所述的阵列基板。
9.一种阵列基板的制作方法,其特征在于,包括:
形成在衬底上的导电层;
形成在导电层上的公共电极层,
其中,所述导电层与所述公共电极层并联连接。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述制作方法包括:
在衬底表面形成导电层;
在所述导电层上方形成绝缘层;
在所述绝缘层上方形成栅极;
在所述栅极上方形成栅绝缘层;
在所述栅绝缘层上方形成有源层;
在所述有源层上方形成源极和漏极;
在所述源极和漏极上方形成第一钝化层;
在所述第一钝化层上方形成像素电极;
在所述像素电极上方形成第二钝化层;
在所述第二钝化层上方形成公共电极层;
其中,所述导电层与所述公共电极层通过过孔连接。
11.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述导电层与所述公共电极层通过公共电极金属线连接。
12.根据权利要求9所述的阵列基板的制作方法,其特征在于,所述导电层形成在衬底上的区域与所述栅极在所述衬底上的投影区域不交叠。
13.根据权利要求9所述的阵列基板,其特征在于,所述制作方法包括:
形成于衬底表面的栅极层;
形成于栅极表面的栅绝缘层;
形成于所述栅绝缘层表面的导电层,
所述公共电极层与所述导电层位于不同层。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





