[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201310429312.X | 申请日： | 2013-09-18 |
| 公开（公告）号： | CN103489873A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 吴洪江;杨新元;袁剑峰 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1343 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 柴亮;张天舒 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
形成像素电极膜层，在像素电极膜层上形成配向隆起物层；
通过阶梯曝光工艺，形成在非曝光区剩余完整配向隆起物层，在曝光区无配向隆起物层，在部分曝光区剩余部分的配向隆起物层的结构；
通过刻蚀工艺，除去无配向隆起物层区域的像素电极膜层，形成像素电极的图形；
通过灰化工艺形成配向隆起物的图形。
2.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述阶梯曝光工艺中使用的掩膜板为半色调掩膜板或灰阶掩膜板。
3.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述配向隆起物层为具有感光效应的有机膜层，所述阶梯曝光工艺为直接对所述有机膜层进行曝光和显影。
4.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述有机膜是丙烯酸酯类有机膜。
5.根据权利要求3所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述有机膜层的形成方式为狭缝式涂布法或旋转涂布法。
6.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述配向隆起物层的厚度在20000～间，所述在部分曝光区剩余部分的配向隆起物层的厚度在3000～间。
7.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述刻蚀工艺是湿法刻蚀工艺，所述灰化工艺是干法刻蚀工艺。
8.根据权利要求1所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述灰化工艺中使用的气体为SF6和O2的混合气体。
9.一种阵列基板，包括像素电极和配向隆起物，其特征在于，所述像素电极和配向隆起物是由权利要求1至8任意一项所述的阵列基板的制作方法制备的。
10.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括权利要求9所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
