[发明专利]过刻蚀率的测试结构及其形成方法、过刻蚀率的测量方法

权利要求书

1.一种过刻蚀率的测试结构，其特征在于，包括：

基底，所述基底包括位于不同位置的第一区和第二区；

位于第一区上的第一层间介质层；

位于第二区上的第二层间介质层；

位于第二层间介质层上的第一刻蚀停止层，第一刻蚀停止层的上表面与第一层间介质层的上表面齐平；

位于所述第一刻蚀停止层和第一层间介质层上的第三层间介质层，第一层间介质层、第二层间介质层和第三层间介质层的材料相同；

位于第一区上第三层间介质层中的第一沟槽；

位于第二区上第三层间介质层中的第二沟槽；

位于第一沟槽下方、第三层间介质层和第一层间介质层中的第一通孔，所述第一通孔呈上大下小的截头圆锥形；

位于第二沟槽下方、第三层间介质层中的第二通孔，所述第二通孔呈上大下小的截头圆锥形。

2.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，还包括：

位于所述第一层间介质层与第三层间介质层之间，和位于所述第一刻蚀停止层与第三层间介质层之间的第二刻蚀停止层。

3.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一层间介质层为低k介质层或SiO₂层。

4.如权利要求3所述的测试结构，其特征在于，所述低k介质层为无定形碳氮层、多晶硼氮层、氟硅玻璃层、多孔SiOCH层或多孔金刚石层。

5.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一刻蚀停止层为无定形碳层、BN层、TiN层或Cu层。

6.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第二刻蚀停止层为含碳氮化物层、碳化硅层或氮化硅层。

7.如权利要求1所述的测试结构，其特征在于，第一层间介质层和第三层间介质层的厚度为200-300nm。

8.如权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第二刻蚀停止层的厚度为

9.一种过刻蚀率的测试结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供基底，所述基底包括位于不同位置的第一区和第二区；

在第一区上形成第一层间介质层、在第二区上形成第二层间介质层；

在第二层间介质层上形成第一刻蚀停止层，第一刻蚀停止层的上表面与第一层间介质层的上表面齐平；

在第一刻蚀停止层和第一层间介质层上形成第三层间介质层，第一层间介质层、第二层间介质层和第三层间介质层的材料相同；

在所述第三层间介质层上形成硬掩膜层，第一区上的硬掩膜层具有第一硬掩膜窗口，第二区上的硬掩膜层具有第二硬掩膜窗口，第一硬掩膜窗口和第二硬掩膜窗口具有第一尺寸；

在第三层间介质层和硬掩膜层上形成光刻胶，所述光刻胶具有第一光刻胶窗口和第二光刻胶窗口，第一光刻胶窗口和第二光刻胶窗口具有第二尺寸，第二尺寸小于第一尺寸，第一硬掩膜窗口在第一区上的投影覆盖第一光刻胶窗口在第一区上的投影，第二硬掩膜窗口在第二区上的投影覆盖第二光刻胶窗口在第二区上的投影；

通过第一光刻胶窗口刻蚀部分厚度的第三层间介质层，在第三层间介质层中形成第一通孔，通过第二光刻胶窗口刻蚀部分厚度的第三层间介质层，在第三层间介质层中形成第二通孔；

去除所述光刻胶；

通过第一硬掩膜窗口和第二硬掩膜窗口刻蚀第三层间介质层和第一层间介质层，使第一通孔的底部进入第一层间介质层，并在所述第一区上的第三层间介质层中形成第一沟槽，在第二区上的第三层间介质层中形成第二沟槽，所述第二通孔的底部位于第一刻蚀停止层上表面。

10.如权利要求9所述的测试结构的形成方法，其特征在于，在第二层间介质层上形成第一刻蚀停止层的方法包括：

在第一层间介质层和第二层间介质层上形成第一刻蚀停止材料层，所述第一刻蚀停止材料层的厚度大于第一层间介质层高出第二层间介质层的厚度；

去除高出第一层间介质层的第一刻蚀停止材料层，在第二层间介质层上形成第一刻蚀停止层。

11.如权利要求9所述的测试结构的形成方法，其特征在于，在第一刻蚀停止层和第一层间介质层上形成第三层间介质层之前，在第一刻蚀停止层和第一层间介质层上形成第二刻蚀停止层，第三层间介质层形成在第二刻蚀停止层上。