[发明专利]半导体器件封装件及其封装方法有效
申请号: | 201310368204.6 | 申请日: | 2013-08-21 |
公开(公告)号: | CN103633042A | 公开(公告)日: | 2014-03-12 |
发明(设计)人: | 迪特里希·博纳特 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L23/48 | 分类号: | H01L23/48;H01L23/52;H01L21/60 |
代理公司: | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人: | 余刚;吴孟秋 |
地址: | 德国瑙伊*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体器件 封装 及其 方法 | ||
技术领域
本发明通常涉及封装,更具体地,涉及一种半导体器件封装件及其封装方法。
背景技术
半导体器件被用于很多电子应用及其他的应用中。半导体器件包括集成电路或者分立器件,这些集成电路或分立器件通过将许多类型的薄膜材料沉积在半导体晶片上并图案化该薄膜材料而形成于半导体晶片上。
在半导体器件技术中,需要将许多不同的功能整合到单个芯片上,例如,在同一芯片的模拟和数字电路、功率器件和逻辑器件或其他器件上制备。在这类应用中,很多不同的元件被集成在单个芯片上。然而,这类集成带来了其他需要克服的挑战。可替换地,可在独立芯片中形成不同类型的电路并将其封装在一起。然而,多芯片封装有很多使半导体器件性能下降的影响。
发明内容
根据本发明的一种实施方式,一种形成半导体器件的方法包括在半导体基板内形成开口;在所述开口处将半导体芯片附接至所述半导体基板;以及单一化所述半导体基板。
根据本发明的另一实施方式,一种形成半导体器件的方法包括在半导体基板的第一区中形成器件区;以及在所述半导体基板的第二区中形成开口。所述方法还包括将半导体芯片放置在所述开口内;以及在所述半导体芯片和所述器件区上形成第一金属化层。
根据本发明另一实施方式,一种半导体器件包括器件区,被设置在半导体基板内;开口,在所述半导体基板内并靠近所述器件区;以及半导体芯片,被设置在所述开口中。所述半导体芯片在所述开口处被附接至所述半导体基板。
附图说明
为更全面地理解本发明及其优势,现结合附图参考以下描述,其中:
图1(包括图1A和图1B)示出了根据本发明一种实施方式的半导体器件,其中,图1A示出了顶视图,以及图1B示出了截面视图;
图2(包括图2A和图2B)示出了根据本发明实施方式的半导体器件,其中,图2A示出了顶视图,以及图2B示出了截面视图;
图3示出了根据本发明一种实施方式的半导体器件;
图4(包括图4A和图4B)示出了根据本发明实施方式的在形成器件区后的半导体器件,其中,图4A示出了截面视图,以及图4B示出了顶视图;
图5示出了根据本发明实施方式的在形成芯片开口后的半导体器件;
图6(包括图6A至图6C)示出了根据本发明实施方式的集成电路芯片的形成;
图7示出了根据本发明实施方式的将半导体芯片放置在第一基板的芯片开口内时的半导体器件;
图8示出了根据本发明实施方式的在将半导体芯片附接至第一基板后的半导体器件;
图9示出了根据本发明一种实施方式的用电介质材料填充基板与半导体芯片之间的空间后的半导体器件;
图10(包括图10A和图10B)示出了根据本发明一种实施方式的形成外接触片后的半导体器件;
图11示出了根据本发明的可替换实施方式的将之前在另一基板上形成的半导体芯片附接至第一基板后的半导体器件;
图12示出了根据本发明的可替换实施方式的用电介质材料填充半导体芯片与第一基板间的空隙或者空间后的半导体器件;以及
图13示出了根据本发明的可替换实施方式的在第一基板和半导体芯片上形成金属化层之后的半导体器件。
除非另有说明,否则不同图中的相应数字和符号通常指的是相对应的部分。绘制附图是为了清楚地示出实施方式的相关方面,且不一定按比例绘制。
具体实施方式
下面将详细讨论各种实施方式的制作与使用。然而,应理解,本发明提供了很多可适用的创造性概念,这些创造性概念在很多具体背景中均能够被体现出来。所讨论的具体实施方式仅是对制作和使用本发明的具体方式的说明,且并不限定本发明的范围。
许多应用都需要集成大量不同的电路。例如,功率芯片常常与功率模块中的逻辑芯片结合。然而,这些不同电路中的很多电路可能需要使用不可兼容的工艺。另外,它们可能需要会导致生产成本大幅增加的复杂的集成。因此,在这类情况下,多个芯片可被分别制作并封装在一起。这类封装增加了封装成本,并且也增加了寄生效应,且减少了热电机械稳定性,所有这些会导致结合的封装件的性能下降。通过描述一种将具有独立制作工艺的优势相结合而不增加多芯片封装的成本和性能下降的工艺,本发明的实施方式克服了这些问题。
将用图1描述本发明的结构实施方式。将使用图2至图3来描述其他结构实施方式。将用图4至图10描述一种制作半导体器件的方法。将用图11至图13描述制作半导体器件的其他实施方式。
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