[发明专利]半导体器件封装件及其封装方法

权利要求书

1.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体基板内形成开口；

在所述开口处将半导体芯片附接至所述半导体基板；以及

单一化所述半导体基板。

2.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述开口前，在所述半导体基板内形成器件区。

3.根据权利要求1所述的方法，还包括在形成所述开口前，在所述半导体基板上形成金属化层。

4.根据权利要求1所述的方法，还包括在附接所述半导体芯片后，形成金属化层。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述半导体基板包括硅晶片。

6.根据权利要求1所述的方法，其中，附接所述半导体芯片包括将所述半导体芯片背面上的导体附接至在所述开口内的所述半导体基板的表面上。

7.一种形成半导体器件的方法，所述方法包括：

在半导体基板的第一区中形成器件区；

在所述半导体基板的第二区中形成开口；

将半导体芯片放置在所述开口内；以及

在所述半导体芯片和所述器件区上形成第一金属化层。

8.根据权利要求7所述的方法，还包括在形成所述开口之前，在所述第一金属化层下形成第二金属化层。

9.根据权利要求8所述的方法，其中，所述第二金属化层与所述器件区形成接触。

10.根据权利要求7所述的方法，其中，所述器件区被设置在所述开口的一侧。

11.根据权利要求7所述的方法，其中，所述器件区环绕所述开口。

12.根据权利要求7所述的方法，其中，所述器件区包括用于功率芯片的电路。

13.根据权利要求7所述的方法，其中，所述半导体芯片包括集成电路。

14.根据权利要求7所述的方法，还包括：

在第一晶片内形成所述半导体芯片；以及

对所述第一晶片进行划片，其中，所述半导体基板是不同于所述第一晶片的第二晶片。

15.根据权利要求7所述的方法，还包括在放置所述半导体芯片后，对所述半导体基板进行划片。

16.根据权利要求7所述的方法，其中，所述半导体芯片被放置在所述开口内，使得所述半导体芯片的上表面基本上与所述半导体基板的上表面共面。

17.根据权利要求7所述的方法，还包括用绝缘材料填充所述半导体芯片与所述开口的侧壁之间的间隙。

18.一种半导体器件，包括：

器件区，被设置在半导体基板内；

开口，在所述半导体基板内并靠近所述器件区；以及

半导体芯片，被设置在所述开口中，所述半导体芯片在所述开口处被附接至所述半导体基板。

19.根据权利要求18所述的器件，还包括：

金属化层，将所述器件区耦接至第一外电位节点并将所述半导体芯片耦接至第二外电位节点。

20.根据权利要求19所述的器件，其中，所述金属化层将所述器件区与所述半导体芯片耦接。

21.根据权利要求18所述的器件，还包括被设置在所述半导体芯片与所述器件区之间的芯片隔离区。

22.根据权利要求18所述的器件，还包括被设置在所述半导体芯片周围的芯片隔离区。