[发明专利]固体拍摄装置及半导体装置

说明书

技术领域

本发明的实施方式涉及固体拍摄装置及半导体装置。

背景技术

CCD图像传感器和/或CMOS图像传感器等固体拍摄装置用于数字照相机、摄像机或者监视照相机等各种用途。在固体拍摄装置中，伴随着像素尺寸的缩小化，部分使用就确保对光电二极管的入射光量而言占优势的背面照射型构造。背面照射型固体拍摄装置由于在受光区域与微透镜之间没有金属布线等光学的障碍物，所以能够提高灵敏度和/或画质。

背面照射型固体拍摄装置具备：包含受光元件的像素区域；例如在像素区域周围形成为环状且包含逻辑电路及模拟电路的周边电路。在以装置的小型化为目的而使周边电路区域的宽度变细的情况下，周边电路区域的形状变得细长，难以充分地设置周边电路内的布线、尤其是电源布线。由此，电源布线的电阻变大，电源的电压下降变大。其结果，装置的电源会变得不稳定。

发明内容

本发明所要解决的课题是提供可以通过降低布线电阻而使电源稳定化的固体拍摄装置及半导体装置。

实施方式的固体拍摄装置具备：半导体基板，其具有像素区域及周边电路区域，且具有第1及第2主面；第1布线，其设置在上述周边电路区域且上述半导体基板的第1主面，在第1方向延伸；第2布线，其设置在上述周边电路区域且上述半导体基板的第2主面，在上述第1方向延伸；第1贯通电极，其与上述第1布线的一端及上述第2布线的一端连接，贯通上述半导体基板；以及第2贯通电极，其与上述第1布线的另一端及上述第2布线的另一端连接，贯通上述半导体基板。

另一实施方式的固体拍摄装置具备：半导体基板，其具有像素区域及周边电路区域，且具有第1及第2主面；多个第1布线，其设置在上述周边电路区域且上述半导体基板的第1主面，在第1方向延伸；多个第2布线，其设置在上述周边电路区域且上述半导体基板的第2主面，在上述第1方向延伸；多个第1贯通电极，其分别与上述多个第1布线的一端及上述多个第2布线的一端连接，贯通上述半导体基板；以及多个第2贯通电极，其分别与上述多个第1布线的另一端及上述多个第2布线的另一端连接，贯通上述半导体基板。

另外，另一实施方式的半导体装置具备：半导体基板，其具有第1及第2主面；多个MOSFET，其设置在上述半导体基板的第1主面；第1布线，其设置在上述半导体基板的第1主面，在第1方向延伸，与上述多个MOSFET的一个连接；第2布线，其设置在上述半导体基板的第2主面，在上述第1方向延伸；第1贯通电极，其与上述第1布线的一端及上述第2布线的一端连接，贯通上述半导体基板；以及第2贯通电极，其与上述第1布线的另一端及上述第2布线的另一端连接，贯通上述半导体基板。

根据上述构成的固体拍摄装置及半导体装置，通过降低布线电阻，可以使电源稳定化。

附图说明

图1是第1实施方式涉及的固体拍摄装置的表面的布局图。

图2是固体拍摄装置的背面的布局图。

图3是沿图1及图2的A-A′线的固体拍摄装置的剖面图。

图4是沿图1及图2的B-B′线的固体拍摄装置的剖面图。

图5是表面布线层的详细布局图。

图6是沿图5所示的C-C′线的表面布线层的剖面图。

图7是第2实施方式涉及的周边电路区域的剖面图。

图8是第3实施方式涉及的固体拍摄装置的背面的布局图。

图9是使用了本实施方式的固体拍摄装置的数字照相机的框图。

具体实施方式

[第1实施方式]

在本实施方式中，作为固体拍摄装置，举例说明具有背面照射(BSI：backside illumination)构造的CMOS图像传感器。

图1是第1实施方式涉及的固体拍摄装置10的表面的布局图。图2是固体拍摄装置10的背面的布局图。图3是沿图1及图2的A-A′线的固体拍摄装置10的剖面图。图4是沿图1及图2的B-B′线的固体拍摄装置10的剖面图。所谓固体拍摄装置10的表面，以半导体基板为基准，对应于半导体基板的相对的第1及第2主面之中形成半导体元件的面。所谓固体拍摄装置10的背面，对应于半导体基板的相对的第1及第2主面之中与形成半导体元件的面相反的面，在本实施方式中，从该背面入射光。

固体拍摄装置10具备：配置像素部(像素阵列)的像素区域11；配置对像素部进行驱动及控制的周边电路的周边电路区域12。像素区域11包括受光区域11A及光学黑区域(OB区域)11B。周边电路区域12具有模拟电路及逻辑电路，并例如以包围像素区域11的周围的方式形成。