[发明专利]固体拍摄装置及半导体装置无效
申请号: | 201310356046.2 | 申请日: | 2013-08-15 |
公开(公告)号: | CN103779367A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 依田友幸;早川二郎;井上郁子;佐藤英史;北原健 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 周春燕;陈海红 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 固体 拍摄 装置 半导体 | ||
1.一种固体拍摄装置,具备:
半导体基板,其具有像素区域及周边电路区域,且具有第1及第2主面;
第1布线,其设置在上述周边电路区域且上述半导体基板的第1主面,在第1方向延伸;
第2布线,其设置在上述周边电路区域且上述半导体基板的第2主面,在上述第1方向延伸;
第1贯通电极,其与上述第1布线的一端及上述第2布线的一端连接,贯通上述半导体基板;以及
第2贯通电极,其与上述第1布线的另一端及上述第2布线的另一端连接,贯通上述半导体基板。
2.权利要求1所述的装置,还具备:
第3贯通电极,其与上述第1及第2布线的中央部连接,贯通上述半导体基板。
3.权利要求1所述的装置,其中,
上述第1及第2布线分别延伸至上述半导体基板的相对的2边,
上述第1及第2贯通电极分别配置在上述半导体基板的相对的2边。
4.权利要求1所述的装置,还具备:
分别设置在上述半导体基板的第2主面且上述第1及第2贯通电极上的第1及第2电极焊盘。
5.权利要求1所述的装置,还具备:
多个MOSFET,其设置在上述周边电路区域且上述半导体基板的第1主面,
上述多个MOSFET的一部分俯视被上述第2布线覆盖。
6.权利要求1所述的装置,其中,
上述第1及第2布线是电源布线。
7.权利要求1所述的装置,还具备:
多个受光元件,其设置在上述像素区域且上述半导体基板的第2主面;以及
遮光膜,其设置在上述像素区域且上述半导体基板的第2主面,俯视覆盖上述多个受光元件的一部分,
其中上述遮光膜由与上述第2布线同一层级的金属层形成。
8.一种固体拍摄装置,具备:
半导体基板,其具有像素区域及周边电路区域,且具有第1及第2主面;
多个第1布线,其设置在上述周边电路区域且上述半导体基板的第1主面,在第1方向延伸;
多个第2布线,其设置在上述周边电路区域且上述半导体基板的第2主面,在上述第1方向延伸;
多个第1贯通电极,其分别与上述多个第1布线的一端及上述多个第2布线的一端连接,贯通上述半导体基板;以及
多个第2贯通电极,其分别与上述多个第1布线的另一端及上述多个第2布线的另一端连接,贯通上述半导体基板。
9.权利要求8所述的装置,还具备:
多个第3贯通电极,其分别与上述多个第1布线的中央部及上述第2布线的中央部连接,贯通上述半导体基板。
10.权利要求8所述的装置,其中,
上述第1及第2布线分别延伸至上述半导体基板的相对的2边,
上述第1及第2贯通电极分别配置在上述半导体基板的相对的2边。
11.权利要求8所述的装置,还具备:
多个第1电极焊盘,其分别设置在上述半导体基板的第2主面且上述多个第1贯通电极上;以及
多个第2电极焊盘,其分别设置在上述半导体基板的第2主面且上述多个第2贯通电极上。
12.权利要求8所述的装置,还具备:
多个MOSFET,其设置在上述周边电路区域且上述半导体基板的第1主面,
上述多个MOSFET的一部分俯视被上述多个第2布线覆盖。
13.权利要求8所述的装置,其中,
上述第1及第2布线是电源布线。
14.权利要求8所述的装置,还具备:
多个受光元件,其设置在上述像素区域且上述半导体基板的第2主面;以及
遮光膜,其设置在上述像素区域且上述半导体基板的第2主面,俯视覆盖上述多个受光元件的一部分,
其中上述遮光膜由与上述多个第2布线同一层级的金属层形成。
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