[发明专利]发光二极管及其制作方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种发光二极管及其制作方法，特别是涉及一种可提高发光效率的发光二极管及其制作方法。

背景技术

发光二极管是一种由半导体材料制作而成的发光元件，具有耗电量低、元件寿命长、反应速度快等优点，再加上体积小容易制成极小或阵列式元件的特性，因此近年来随着技术不断地进步，其应用范围也由指示灯、背光源甚至扩大到了照明领域。

请参照图1A所示，其为现有一种垂直结构的发光二极管1a的示意图。于此，是以向上发光为例。

发光二极管1a包括一基板11、一外延结构12、一第一电极13及一第二电极14。于此，基板11为一导电基板，且第一电极13及第二电极14分别设置于外延结构12的相对两侧。另外，外延结构12设置于基板11之上。外延结构12由上而下依序具有一n-GaN层121、一多重量子阱层122及一p-GaN层123，并通过一反射接合层15将p-GaN层123接合于基板11，以透过具有反射性的反射接合层15将发光二极管1a所发出的光线反射出。然而，由于第二电极14位于光线的路径上，且其材料一般为不透光的金属，因此，会将射出的光线挡住，造成发光二极管1a发光效率的降低。

另外，请参照图1B所示，其为现有一种倒装结构的发光二极管1b的示意图。

发光二极管1b包括一基板11、一外延结构12、一第一电极13、一第二电极14及一外延基板16。于此，基板11为一绝缘基板，其上并具有一第一电极13及第二电极14。另外，外延结构12设置于外延基板16上，并位于外延基板16与基板11之间。其中，外延结构12由上而下依序具有一n-GaN层121、一多重量子阱层122及一p-GaN层123，于此，n-GaN层121接触外延基板16，而p-GaN层123通过一反射接合层15a接合于基板11上的一第一电极13。此外，n-GaN层121透过一接合层15b与基板11上的第二电极14电连接。在此实施例中，基本上是将发光二极管1b所发出的光线由外延基板16侧取出，所以，反射接合层15a不仅可将p-GaN层123接合于第一电极13之外，也可反射光线，以将发光二极管1b所发出往基板11方向的光线反射，并由外延基板16侧取出。

然而，由于发光二极管1b于n-GaN层121的电极设置之处（即接合层15b设置之处）需要移除多重量子阱层122及p-GaN层123，造成发光二极管1b无法完全利用整个外延结构12的面积来发光，由于管芯的发光面积缩小，造成可发光的面积也变小而降低其发光效率。

因此，如何提供一种具有较高的发光效率的发光二极管及其制作方法，是业者一直努力的目标。

发明内容

本有鉴于上述课题，本发明的目的在于提供一种具有较高的发光效率的发光二极管及其制作方法。

为达上述的目的，本发明提供一种发光二极管包括一基板、一外延结构、一绝缘层以及一导电层。基板具有一第一电极。外延结构设置于基板上，并具有一第一半导体层及一第二半导体层，第二半导体层与第一电极电连接。绝缘层设置于基板上，并至少覆盖外延结构的部分侧壁，且露出第一半导体层。导电层设置于基板，并与第一半导体层电连接。

为达上述的目的，本发明提供一种发光二极管包括一基板、一外延结构、一绝缘层以及一导电层。基板包含一导电基板或一具有电路层的绝缘基板，并具有一第一电极。外延结构设置于基板上，并具有一第一半导体层及一第二半导体层，第二半导体层与第一电极电连接。绝缘层设置于基板上，并至少覆盖外延结构的部分侧壁，且露出第一半导体层。导电层设置于基板，并与第一半导体层电连接。

为达上述的目的，本发明提供一种发光二极管的制作方法包括提供一外延基板，其中外延基板具有一第一表面及一第二表面，第一表面与第二表面分别位于外延基板的相反侧；形成一外延结构于第一表面上，其中外延结构具有一第一半导体层、一主动层及一第二半导体层依序形成于该外延基板上；形成一反射接合层于第二半导体层远离外延基板的表面上；提供一基板，并透过反射接合层将外延结构接合于基板上，以通过反射接合层使第二半导体层与基板上的一第一电极电连接；以及形成一绝缘层于基板上，并使绝缘层至少覆盖外延结构的部分侧壁，且露出第一半导体层。

在本发明的一较佳实施例中，发光二极管的制作方法还包括移除外延基板。

在本发明的一较佳实施例中，发光二极管的制作方法还包括形成一透明导电层于绝缘层及外延结构之上，并使透明导电层与第一半导体层电连接；图案化透明导电层；形成一导电层于图案化的透明导电层上；及图案化导电层，使导电层位于绝缘层之上。