[发明专利]发光二极管及其制作方法

权利要求书

1.一种发光二极管，包括：

基板，具有第一电极；

外延结构，设置于该基板上，并具有第一半导体层及第二半导体层，该第二半导体层与该第一电极电连接；

绝缘层，设置于该基板上，并至少覆盖该外延结构的部分侧壁，且露出该第一半导体层；以及

导电层，设置于该基板，并与该第一半导体层电连接。

2.如权利要求1所述的发光二极管，其中该基板包含导电基板或具有电路层的绝缘基板。

3.如权利要求1所述的发光二极管，其中该导电层为该基板的一第二电极。

4.如权利要求1所述的发光二极管，其中该导电层与该第一半导体层的侧壁直接接触而电连接。

5.如权利要求1所述的发光二极管，还包括：

透明导电层，设置于该基板之上，该导电层是透过该透明导电层与该第一半导体层电连接。

6.如权利要求5所述的发光二极管，其中该透明导电层接触该绝缘层、该第一半导体层的侧壁及其上表面，或接触该绝缘层、该第一半导体层的侧壁、该外延基板的侧壁及该第二表面。

7.如权利要求1所述的发光二极管，还包括：

外延基板，设置于该第一半导体层上。

8.如权利要求1所述的发光二极管，其中该绝缘层覆盖该外延结构的部分侧壁，或覆盖该外延结构的全部侧壁。

9.如权利要求1所述的发光二极管，其中该导电层位于该绝缘层之上。

10.一种发光二极管的制作方法，包括：

提供一外延基板，其中该外延基板具有第一表面及第二表面，该第一表面与该第二表面分别位于该外延基板的相反侧；

形成一外延结构于该第一表面上，其中该外延结构具有第一半导体层、主动层及第二半导体层，它们依序形成于该外延基板上；

形成一反射接合层于该第二半导体层远离该外延基板的表面上；

提供一基板，并透过该反射接合层将该外延结构接合于该基板上，以通过该反射接合层使该第二半导体层与该基板上的一第一电极电连接；以及

形成一绝缘层于该基板上，并使该绝缘层至少覆盖该外延结构的部分侧壁，且露出该第一半导体层。

11.如权利要求10所述的发光二极管的制作方法，还包括：

移除该外延基板。

12.如权利要求10或11所述的发光二极管的制作方法，还包括：

形成一透明导电层于该绝缘层及该外延结构之上，并使该透明导电层与该第一半导体层电连接；

图案化该透明导电层；

形成一导电层于图案化的该透明导电层上；及

图案化导电层，使该导电层位于该绝缘层之上。

13.如权利要求10所述的发光二极管的制作方法，还包括：

形成一导电层于该绝缘层及该外延基板上；及

图案化该导电层，使该导电层与该第一半导体层电连接。

14.如权利要求10或11所述的发光二极管的制作方法，还包括：

形成一透明导电层于该基板、该绝缘层及该外延结构之上；及

图案化该透明导电层，以通过该透明导电层使该第一半导体层及该基板上的一第二电极电连接。