[发明专利]半导体装置和及其制造方法在审
| 申请号： | 201310303981.2 | 申请日： | 2010-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN103426935A | 公开（公告）日： | 2013-12-04 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;细羽幸;平石铃之介 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;G02F1/1368;H01L21/28;H01L21/336;H01L29/417;H01L29/423;H01L29/49;H01L51/50 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 陈华成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种显示装置，包括：
在基板上的栅极电极；
在所述栅极电极上的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层；
在所述氧化物半导体层上且与所述氧化物半导体层接触的第一绝缘层，该第一绝缘层包括氧化硅；以及
在所述第一绝缘层上的源极电极和漏极电极，
其中，所述栅极电极包括：
包含选自Cr、Ta、Ti、Mo以及W中的一种金属的第一层；以及
包含Cu的第二层，以及
其中，所述栅极绝缘层具有氮化硅层和氧化硅层的叠层。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述氧化硅层处于所述氮化硅层上。
3.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述金属为W。
4.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述源极电极和所述漏极电极都包括：
包含选自Cr、Ta、Ti、Mo以及W中的一种金属的第三层；以及
包含Cu的第四层。
5.根据权利要求4所述的显示装置，
其中，包含在所述第三层内的所述金属为W。
6.根据权利要求4所述的显示装置，
其中，所述氧化物半导体层包括铟、镓、锌以及氧。
7.根据权利要求1所述的显示装置，还包括与所述源极电极和漏极电极之一电连接的液晶元件。
8.一种包括根据权利要求1所述的显示装置的模块，
其中，连接器附接到所述显示装置，以及
其中，所述连接器为选自柔性印刷电路、带自动接合带以及带载封装中的一种。
9.根据权利要求8所述的模块，该模块还包括集成电路。
10.一种包括根据权利要求8所述的模块的电子装置。
11.一种显示装置，包括：
在基板上的栅极电极；
在所述栅极电极上的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上的氧化物半导体层；
在所述氧化物半导体层上且与所述氧化物半导体层接触的第一绝缘层，该第一绝缘层包括氧化硅；以及
在所述第一绝缘层上的源极电极和漏极电极，
其中，所述栅极电极包括：
包含选自Cr、Ta、Ti、Mo以及W中的两种金属的第一层；以及
包含Cu的第二层，以及
其中，所述栅极绝缘层具有氮化硅层和氧化硅层的叠层。
12.根据权利要求11所述的显示装置，
其中，所述氧化硅层处于所述氮化硅层上。
13.根据权利要求11所述的显示装置，
其中，所述第一层包含Ti和Mo。
14.根据权利要求11所述的显示装置，
其中，所述第一层包含Ti和Mo的合金。
15.根据权利要求11所述的显示装置，
其中，所述第二层处于所述第一层上。
16.根据权利要求11所述的显示装置，
其中，所述源极电极和所述漏极电极都包括：
包含选自Cr、Ta、Ti、Mo以及W中的两种金属的第三层；以及
包含Cu的第四层。
17.根据权利要求16所述的显示装置，
其中，所述第三层包含Ti和Mo。
18.根据权利要求16所述的显示装置，
其中，所述第三层包含Ti和Mo的合金。
19.根据权利要求16所述的显示装置，
其中，所述第四层处于所述第三层上。
20.根据权利要求16所述的显示装置，
其中，所述氧化物半导体层包括铟、镓、锌以及氧。
21.根据权利要求11所述的显示装置，还包括：
在所述源极电极、所述漏极电极和所述第一绝缘层上且与所述源极电极、所述漏极电极和所述第一绝缘层接触的第二绝缘层，以及
在所述第二绝缘层上且与所述第二绝缘层接触的第二栅极电极。
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