[发明专利]3D封装件及其形成方法

权利要求书

1.一种封装件，包括：

中介层，包括：

第一衬底，所述第一衬底中没有通孔；

再分布线，位于所述第一衬底上方；和

多个第一连接件，位于所述再分布线上方并且与所述再分布线电连接；

第一管芯，位于所述多个第一连接件上方并且与所述多个第一连接件接合，所述第一管芯包括：

第二衬底；和

通孔，位于所述第二衬底中；

第二管芯，位于所述多个第一连接件上方并且与所述多个第一连接件接合，其中，所述第一管芯和所述第二管芯通过所述再分布线彼此电连接；以及

多个第二连接件，位于所述第一管芯和所述第二管芯上方，所述多个第二连接件通过所述第二衬底中的所述通孔电连接至所述多个第一连接件。

2.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述中介层中没有有源器件。

3.根据权利要求2所述的封装件，其中，所述中介层中没有无源器件。

4.根据权利要求1所述的封装件，进一步包括：

模塑料，环绕所述第一管芯和所述第二管芯，所述模塑料的顶面与所述第一管芯的顶面齐平；以及

介电层，位于所述第一管芯、所述第二管芯和所述模塑料上方，其中所述多个第二连接件位于所述介电层上方。

5.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第二管芯中没有通孔。

6.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第一管芯通过面对背接合而接合至所述中介层，所述第一管芯的背面接合至所述中介层的正面。

7.根据权利要求1所述的封装件，其中，所述第一管芯通过面对面接合而接合至所述中介层，所述第一管芯的正面接合至所述中介层的正面。

8.一种封装件，包括：

中介层，所述中介层中没有有源器件，所述中介层包括：

硅衬底，所述硅衬底中没有通孔；

再分布线，位于所述硅衬底上方；和

多个第一连接件，位于所述再分布线上方并且与所述再分布线电连接；

第一管芯，位于所述多个第一连接件上方并且与所述多个第一连接件接合，所述第一管芯包括：

第一半导体衬底；

多个第一通孔，位于所述第一半导体衬底中；和

金属柱，电连接至所述多个第一通孔；

第二管芯，位于所述多个第一连接件上方并且与所述多个第一连接件接合，其中，所述第一管芯和所述第二管芯通过所述再分布线彼此电连接；

模塑料，环绕所述第一管芯和所述第二管芯，所述模塑料的顶面与所述第一管芯的顶面齐平；以及

多个第二连接件，位于所述第一管芯和所述第二管芯上方，所述多个第二连接件通过所述第一半导体衬底中的所述多个第一通孔和所述金属柱电连接至所述多个第一连接件。

9.根据权利要求8所述的封装件，其中，所述第一管芯的背面通过面对背接合而接合至所述中介层的正面，并且所述金属柱的顶面与所述模塑料的顶面齐平。

10.根据权利要求8所述的封装件，其中，所述第一管芯的正面通过面对面接合而接合至所述中介层的正面，并且所述多个第一通孔的顶面与所述模塑料的顶面齐平。

11.根据权利要求10所述的封装件，其中，所述第二管芯进一步包括：

第二半导体衬底；以及

多个第二通孔，穿透所述第二半导体衬底，部分所述多个第二连接件通过所述多个第二通孔电连接至部分所述多个第一连接件，并且所述多个第一通孔和所述多个第二通孔的顶面相互齐平。

12.根据权利要求8所述的封装件，其中，所述第二管芯的顶面低于所述第一管芯的顶面，并且所述模塑料的一部分延伸至所述第二管芯的顶面上方并且与所述第二管芯的顶面接触。

13.根据权利要求8所述的封装件，其中，所述第一管芯包括逻辑管芯，并且所述第二管芯包括存储管芯。

14.根据权利要求8所述的封装件，其中，所述第一管芯进一步包括：与所述金属柱处于同一平面的聚合物层，所述聚合物层环绕所述金属柱，并且所述聚合物层的表面与所述金属柱的表面齐平。