[发明专利]迭对标记及其制造方法

说明书

本发明公开了一种迭对标记及其制造方法。迭对标记包括核心标记图案及至少一个保护图案。核心标记图案中具有多个突部，两个相邻的突部之间具有第一沟渠。保护图案位于核心标记图案周围，保护图案与核心标记图案之间具有至少一个第二沟渠。

技术领域

本发明是有关于一种半导体工艺的图案及其制造方法，且特别是有关于一种迭对标记及其制造方法。

背景技术

在半导体工艺中，一般会在晶圆上形成迭对标记，以检查前层与后层之间的对准度。对于40纳米解析度以下的微影工艺而言，自我对准的双重间隙壁图案工艺（doublepatterning process）已是现今主要的一种工艺方式。尤其是对于NAND快闪存储器及DRAM来说，更需要利用间隙壁的宽度来定义最小的微影尺寸。然而，对于双重间隙壁工艺而言，标准型的迭对标记在微影蚀刻工艺后只能留下微小图案，而此微小图案的图案密度（pattern density）及强度皆非常的低，而且，迭对标记的周围所留下的空旷区上的绝缘层在后续的平坦化工艺中，往往会发生凹陷效应（dishing effect）而造成迭对标记的损坏。

发明内容

本发明提供一种迭对标记及其制造方法，可提升双重间隙壁工艺中的微小图案的图案密度及强度，从而改善后续平坦化工艺中因凹陷效应所造成的迭对标记的损坏。

本发明提供一种迭对标记，包括核心标记图案及至少一个保护图案。核心标记图案中具有多个突部，相邻的两个突部之间具有第一沟渠。保护图案位于核心标记图案周围，且保护图案与核心标记图案之间具有至少一个第二沟渠。

依照本发明的一实施例所述，在上述的迭对标记中，第二沟渠的宽度例如是第一沟渠的宽度的75倍至227倍，或第二沟渠的宽度小于5μm。

依照本发明的一实施例所述，在上述的迭对标记中，保护图案的宽度可大于各突部的宽度。

依照本发明的一实施例所述，在上述的迭对标记中，保护图案的宽度例如是各突部的宽度的400倍至818倍。

依照本发明的一实施例所述，在上述的迭对标记中，保护图案与核心标记图案例如是位于基底中、位于导体层中、或位于多层结构中。

依照本发明的一实施例所述，上述的迭对标记还包括填充层，填充层例如是填充于第一沟渠之中以及第二沟渠之中。

依照本发明的一实施例所述，在上述的迭对标记中，保护图案包括第一保护图案部分及第二保护图案部分，第一保护图案部分及第二保护图案部分的轮廓例如是框形，且第一保护图案部分可配置在第二保护图案部分之外。核心标记图案的轮廓例如是框形，且核心标记图可配置在述第一保护图案部分与第二保护图案部分之间。

依照本发明的一实施例所述，在上述的迭对标记中，其中核心标记图案及保护图案的轮廓例如是框形，且核心标记图案可配置在保护图案之内。

依照本发明的一实施例所述，在上述的迭对标记中，保护图案包括多个保护图案部分，且多个保护图案部分可配置在核心标记图案的周围。

依照本发明的一实施例所述，在上述的迭对标记中，核心标记图案包括多个核心标记图案部分，且多个核心标记图案部分可配置在保护图案的周围。

本发明提供一种迭对标记的制造方法，包括以下步骤。提供材料层，材料层包括存储胞区、周边电路区以及迭对标记区，其中迭对标记区包括核心标记图案区以及保护图案区。在存储胞区及核心标记图案区的材料层上形成多个牺牲图案。在些牺牲图案侧壁形成多个间隙壁。移除牺牲图案。在材料层上形成牺牲层及一图案化罩幕层，图案化罩幕层至少覆盖保护图案区的材料层的部分以及部分的周边电路区上的材料层。以图案化罩幕层以及间隙壁为罩幕，图案化材料层，以在核心标记图案区中形成核心标记图案并在保护图案区中形成至少一个保护图案，其中核心标记图案中多个突部，两个相邻的突部之间具有第一沟渠，且保护图案与核心标记图案之间具有第二沟渠。