[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310142184.0 | 申请日： | 2013-04-22 |
| 公开（公告）号： | CN104112668B | 公开（公告）日： | 2018-06-22 |
| 发明（设计）人： | 殷华湘;赵志国;朱慧珑 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/28;H01L29/78;H01L29/423 |
| 代理公司： | 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所(普通合伙) 11345 | 代理人： | 陈红 |
| 地址： | 100029 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 堆叠结构 假栅极 鳍片 方向延伸 栅极侧墙 栅极沟槽 衬底 填充 制造 栅极堆叠结构 漏电 源漏接触 鳍片侧壁 源漏结 侧墙 去除 穿透 残留 | ||
1.一种半导体器件制造方法，包括：
在衬底上形成沿第一方向延伸的多个鳍片；
在鳍片上形成沿第二方向延伸的假栅极堆叠结构；
在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧形成栅极侧墙的第一部分，同时在鳍片沿第二方向的两侧形成栅极侧墙的第二部分；
去除假栅极堆叠结构，形成栅极沟槽；
在栅极沟槽中形成栅极堆叠结构；
形成暴露源漏区的接触孔，也同时暴露栅极侧墙的第二部分；在接触孔中形成接触塞，接触塞直接接触栅极侧墙的第二部分。
2.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成栅极侧墙的步骤进一步包括：
在器件上形成栅极侧墙材料层；
控制刻蚀参数，减小侧面的过刻蚀，使得栅极侧墙材料层在假栅极堆叠结构沿第一方向的两侧留下栅极侧墙的第一部分并且同时在鳍片沿第二方向的两侧留下栅极侧墙的第二部分。
3.如权利要求1的半导体器件制造方法，其中，形成栅极侧墙的步骤之后进一步包括：
在栅极侧墙沿第一方向的两侧外延生长提升源漏区。
4.如权利要求3的半导体器件制造方法，其中，形成提升源漏区之后进一步包括在提升源漏区与栅极侧墙的第二部分上形成金属硅化物。
5.如权利要求4的半导体器件制造方法，其中，形成金属硅化物的步骤进一步包括：
在器件上形成层间介质层；
在层间介质层中形成源漏接触孔，暴露提升源漏区以及栅极侧墙的第二部分；
在源漏接触孔中形成金属层，退火使得金属层与提升源漏区反应形成金属硅化物。
6.如权利要求3的半导体器件制造方法，其中，形成提升源漏区之后进一步包括在器件上形成接触刻蚀停止层。
7.一种半导体器件，包括：衬底上沿第一方向延伸的多个鳍片，沿第二方向延伸并且跨越了每个鳍片的栅极，位于鳍片上沿第一方向的栅极两侧的源漏区以及栅极侧墙，与源漏区电接触的接触塞，其中，栅极侧墙包括位于在栅极沿第一方向的两侧的第一部分以及在鳍片沿第二方向的两侧的第二部分，接触塞与栅极侧墙的第二部分直接接触。
8.如权利要求7的半导体器件，其中，第二部分的高度和/或厚度小于第一部分的高度和/或厚度。
9.如权利要求7的半导体器件，其中，源漏区为外延生长的提升源漏区。
10.如权利要求7或9的半导体器件，其中，提升源漏区和/或栅极侧墙的第二部分上具有金属硅化物。
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- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
