[发明专利]具有一体化阶梯状堆叠结构的多层电子结构

说明书

技术领域

本发明涉及改进的互连结构，特别但不仅仅涉及一体化阶梯状通孔堆叠体及其制造方法。

背景技术

在对于越来越复杂的电子元件的小型化越来越大的需求的带动下，诸如计算机和电信设备等消费电子产品的集成度越来越高。这需要支撑结构如IC基板和IC插件具有高密度且通过介电材料彼此电绝缘的多个导电层和通孔。

对这种支撑结构的总体要求是可靠性以及适当的电气性能、薄度、刚度、平整度、优良的散热性和有竞争力的单价。

在达到这些要求的各种途径中，一种广泛实施的创建层间互连通孔的制造技术是采用激光钻孔，所钻出的孔穿透后续布置的介电基板直到最后的金属层，然后填充金属通常是铜，该金属通过镀覆技术沉积在孔中。这种成孔方法有时也被称为“钻填”，由此产生的孔可称为“钻填通孔”。

钻填孔方法存在多个缺点。因为每个孔需要单独钻孔，所以生产率受限，并且制造复杂的多通孔IC基板和插件的成本变得高昂。在大型阵列中，通过钻填方法难以生产出高密度和高品质、彼此紧密相邻且具有不同的尺寸和形状的通孔。此外，激光钻出的通孔具有的粗糙侧壁和穿过介电材料的内向锥度。该锥度减小了通孔的有效直径。也可能对于先前的导电金属层的电接触产生不利影响，在通孔直径极小的情况下更是如此，由此导致可靠性问题。此外，此外，在被钻的电介质是包括聚合物基质中的玻璃或陶瓷纤维的复合材料时，侧壁特别粗糙，并且这种粗糙可能会产生附加的杂散电感。

钻出的通孔的填充过程通常是通过铜电镀来完成的。电镀沉积技术会导致凹痕，其中在通孔顶部出现小坑。或者，当通孔通道被填充超过其容纳量的铜时，可能造成溢出，从而产生突出超过周围材料的半球形上表面。凹痕和溢出往往在如制造高密度基板和插件时所需的后续上下堆叠通孔时造成困难。此外，应该认识到，大的通孔通道难以均匀填充，特别是在其位于插件或IC基板设计的同一互连层内的小通孔附近时。

虽然可接受的尺寸和可靠性正在随着时间的推移而改善，但是上文所述的缺点是钻填技术的内在缺陷，并且预计会限制可能的通孔尺寸范围。还应该注意的是，激光钻孔是制造圆形通孔通道的最好方法。虽然理论上可以通过激光铣削制造狭缝形状的通孔通道，但是实际上可制造的几何形状范围比较有限，并且在给定支撑结构中的通孔通常是圆柱形的并且是基本相同的。

通过钻填工艺制造通孔是昂贵的，并且难以利用相对具有成本效益的电镀工艺用铜来均匀和一致地填充由此形成的通孔通道。

在复合介电材料中激光钻出的孔的尺寸实际上被限制在最小直径为60×10^-6m的大小，虽然如此，还是由于所涉及的剥蚀过程以及所钻的复合材料的特性而遭受到显著的具深度的锥形形状以及粗糙侧壁的不利影响。

除了上文所述的激光钻孔的其它限制外，钻填技术的另一限制在于难以在同一层中制造不同直径的通孔，这是因为当钻出不同尺寸的通孔通道并随后使用金属填充以制造不同尺寸通孔时，通孔通道的填充速率不同。结果，作为钻填技术特性的凹痕或溢出的典型问题被恶化，因为不可能对不同尺寸通孔的沉积技术同时优化。所以，实际上，尽管受到烧蚀和锥度化的影响，处于同一层的所有填钻孔名义上也具有相同的直径。

克服钻填方法的众多缺点的一个可选解决方案是利用一个又称为“图案镀覆”的技术，通过将铜或其它金属沉积到在光刻胶中形成的图案内来制造孔。

在图案镀覆中，首先沉积种子层。然后在其上沉积光刻胶层，随后曝光形成图案，并且选择性地移除以制成暴露出种子层的沟槽。通过将铜沉积到光刻胶沟槽中来形成通孔柱。然后移除剩余的光刻胶，蚀刻掉种子层，并在其上及其周边层压通常为聚合物浸渍玻璃纤维毡的介电材料，以包围所述通孔柱。然后，可以使用各种技术和工艺来平坦化所述介电材料，移除其一部分以暴露出通孔柱的顶部，从而允许由此导电接地，用于在其上形成下一金属层。可在其上通过重复该过程来沉积后续的金属导体层和通孔柱，以形成所需的多层结构。

在一个替代但紧密关联的技术即下文所称的“面板镀覆”中，将连续的金属或合金层沉积到基板上。在基板的顶部沉积光刻胶层，并在其中显影出图案。剥除被显影的光刻胶的图案，选择性地暴露出其下的金属，该金属可随后被蚀刻掉。未显影的光刻胶保护其下方的金属不被蚀刻掉，并留下直立的特征结构和通孔的图案。

在剥除未显影的光刻胶后，可以在直立的铜特征结构和/或通孔柱上或周围层压介电材料，如聚合物浸渍玻璃纤维毡。

通过上述图案镀覆或面板镀覆方法创建的通孔层通常被称为“通孔柱”和铜制特征层。