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[发明专利]一种混合带通滤波器-CN202211213628.0在审
发明人： 卓尔·赫尔维茨;田明;代传相 -专利权人：珠海晶讯聚震科技有限公司
申请日： 2022-09-30 - 公布日： 2022-12-16 - 主分类号： H03H9/56 文献下载
摘要：本发明公开了一种混合带通滤波器，其包括第一声波谐振单元、滤波器单元、第二声波谐振单元、匹配基板、聚合物填充外壳以及信号端口。第一声波谐振单元的输入端与混合带通滤波器的输入端连接，并通过混合带通滤波器的输入端接收输入信号；滤波器单元的输入端与第一声波谐振单元的输出端连接，滤波器单元的输出端与第二声波谐振单元的输入端连接；第二声波谐振单元的输出端与混合带通滤波器的输出端连接，并通过混合带通滤波器的输出端输出信号；匹配基板上焊接有第一声波谐振单元、滤波器单元和第二声波谐振单元；聚合物填充外壳填充在所述第一声波谐振单元、滤波器单元和第二声波谐振单元的外部，并完全包裹这些单元。
一种混合带通滤波器

[发明专利]具有分叉电极的膜体声学谐振器-CN202111594024.0在审
发明人： 卓尔·赫尔维茨 -专利权人：珠海晶讯聚震科技有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种声学谐振器，所述声学谐振器具有第一电极，所述第一电极具有第一平面部分。具有第二平面部分的第二电极设置成平行于所述第一平面部分。所述第二电极具有限定间隙的分叉端部。压电层设置于所述第一平面部分和所述第二平面部分之间并且接触两者。所述第二电极的所述分叉端部也接触所述压电层。所述间隙形成于滤波器内的每个谐振器的周边中。所述间隙形成于顶部电极中，所述顶部电极通常由钼形成，但也可由其它金属形成。不同于顶部电极和压电材料之间的间隙，本文所叙述的所述间隙整体地处于所述第二电极内。这种结构兼容内部钝化层，所述内部钝化层实现了单晶压电层和较大底部电极。
具有分叉电极声学谐振器

[发明专利]一种声学谐振器及其制造方法和应用-CN202111598892.6在审
发明人： 卓尔·赫尔维茨 -专利权人：珠海晶讯聚震科技有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-06-24 - 主分类号： H03H9/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种声学谐振器，所述声学谐振器是构成FBAR滤波器的基础部件，所述FBAR滤波器包括富阱层以通过降低自由电荷寿命而避免寄生电阻。所述声学谐振器具有第一电极、第二电极和压电层，第一电极构成第一平面，所述第二电极设置成平行于所述第一平面部分，所述压电层设置于所述第一和第二平面电极之间并接触两者。硅基支撑层包含富阱区域键合至所述第二电极。所述声学谐振器可通过以下方式来制造：(a)将所述富阱区域沉积于所述硅基支撑层上；(b)将所述富阱区域的表面氧化；(c)将键合层沉积于所述富阱区域的所述氧化表面上；(d)将第一电极与含富阱层的硅基氧化层一面键合；(e)使压电层的第一侧接触所述第一电极；(f)使所述压电层的第二侧接触第二电极。
一种声学谐振器及其制造方法应用

[发明专利]射频谐振器与滤波器-CN201711482051.2有效
发明人： 卓尔·赫尔维茨 -专利权人：珠海晶讯聚震科技有限公司
申请日： 2017-12-29 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：一种滤波器封装元件，包括夹裹在下电极与一组上电极之间的一组压电薄膜：各个压电薄膜和上电极通过绝缘材料分隔开来；下电极连接至一转接板，下电极和转接板之间具有第一腔体；滤波器封装元件还包括具有既定的厚度的硅晶圆，与在硅晶圆和硅盖之间的一组上层腔体一起结合在上电极上方；每个上层腔体与一组的压电薄膜中一个居中对齐，上层腔体四周为包括绝缘材料的侧壁。
射频谐振器滤波器

[发明专利]芯片封装-CN201610191287.X有效
发明人： 卓尔·赫尔维茨;黄士辅 -专利权人：珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2016-03-29 - 公布日： 2021-07-06 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：一种嵌入式芯片封装，其包括芯片，所述芯片具有在钝化层中的芯片接触焊盘，所述芯片接触焊盘通过粘附/阻挡层连接至特征层的第一面，从所述特征层的第二面延伸出通孔柱层，所述芯片、特征层和通孔柱层被介电材料包封。
芯片封装

[发明专利]端子-CN201710021398.0有效
发明人： 卓尔·赫尔维茨;黄士辅 -专利权人：珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2017-01-12 - 公布日： 2020-08-18 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：一种电子支撑结构，包括一个或更多个铜特征层，例如铜布线层，其层压在电介质材料内，电介质材料包括在聚合物基质中的连续玻璃纤维，其中成对的相邻铜特征层通过通孔层连接，其中在电子支撑结构的至少一侧上的端子包括改进的迹线上接合附着位点，所述位点包括在铜特征结构的外层中的铜特征结构的选择性暴露的顶面和部分侧面，用于导电连接焊料。
端子

[发明专利]嵌入式封装-CN201710051106.8有效
发明人： 卓尔·赫尔维茨;黄士辅 -专利权人：珠海越亚半导体股份有限公司
申请日： 2017-01-23 - 公布日： 2019-11-05 - 主分类号： H01L23/31 文献下载
摘要：本申请涉及一种新型嵌入式封装。一种结构，包括嵌入在聚合物基质中并被该基质包围的至少一个芯片，还包括从围绕芯片周边的聚合物基质中穿过的至少一个通孔，其中通常至少一个通孔具有暴露的两个端部，其中所述芯片被第一聚合物基体的框架围绕，并且所述至少一个通孔穿过所述框架；所述芯片定位为在下表面上具有端子，使得芯片的下表面与框架的下表面共平面，所述框架具有大于所述芯片的厚度，并且金属直接附接到并覆盖所述芯片的上表面的至少一部分。
新型嵌入式封装

[发明专利]薄膜体声波共振器滤波器-CN201510901483.7有效
发明人： 卓尔·赫尔维茨;黄士辅 -专利权人：珠海越亚封装基板技术股份有限公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： H03H9/64 文献下载
摘要：一种声波共振器，包括基本水平的压电材料膜，在所述膜的上表面和下表面上分别具有上金属电极和下金属电极，所述膜围绕其周边通过粘附聚合物附着在矩形互连框架的内侧壁上，用于封装的所述框架的侧壁基本垂直于所述膜并且包括在电介质基质中的导电通孔，所述导电通孔在所述侧壁内基本垂直延伸，所述金属电极与所述导电通孔通过在所述膜的上表面上的特征层导电连接，在所述互连框架的上端和下端连接有上盖和下盖以密封所述声波共振器使其与周围环境隔离。
薄膜声波共振器滤波器

[发明专利]具有矩形空腔阵列的聚合物框架的制造方法-CN201510885569.5有效
发明人： 卓尔·赫尔维茨;黄士辅 -专利权人：珠海越亚封装基板技术股份有限公司
申请日： 2015-12-03 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L21/48 文献下载
摘要：一种由有机基质框架包围穿过该有机基质框架的插座限定的芯片插座阵列及其制造方法，所述芯片插座的特征是形状为矩形，具有光滑侧壁，拐角的曲率半径小于100微米，由此有利于每个插座与预定的芯片尺寸紧密匹配，能够实现紧凑芯片封装和微型化。
具有矩形空腔阵列聚合物框架制造方法

[发明专利]薄膜体声波共振器滤波器的制造方法-CN201510901507.9有效
发明人： 卓尔·赫尔维茨;黄士辅 -专利权人：珠海越亚封装基板技术股份有限公司
申请日： 2015-12-08 - 公布日： 2019-01-15 - 主分类号： H03H9/17 文献下载
摘要：一种声波共振器，包括基本水平的压电材料膜，在所述膜的上表面和下表面上分别具有上金属电极和下金属电极，所述膜围绕其周边通过粘附聚合物附着在矩形互连框架的内侧壁上，用于封装的所述框架的侧壁基本垂直于所述膜并且包括在电介质基质中的导电通孔，所述导电通孔在所述侧壁内基本垂直延伸，所述金属电极与所述导电通孔通过在所述膜的上表面上的特征层导电连接，在所述互连框架的顶端和底端连接有上盖和下盖以密封所述声波共振器使其与周围环境隔离。
薄膜声波共振器滤波器制造方法

[发明专利]具有超细间距倒装芯片凸点的基板-CN201410336766.7有效
发明人： 卓尔·赫尔维茨;黄士辅 -专利权人：珠海越亚封装基板技术股份有限公司
申请日： 2014-07-15 - 公布日： 2018-11-16 - 主分类号： H01L23/485 文献下载
摘要：一种将芯片连接至具有外层的基板上的方法，所述外层包括嵌入在如焊料掩膜的电介质中的通孔柱，其中通孔柱的端部与所述电介质齐平，该方法包括以下步骤：(o)任选地移除有机涂层；(p)将具有端接焊料凸点的引脚的芯片定位为与通孔柱暴露端接触；和(q)加热并熔融焊料凸点并使焊料润湿通孔端部。
具有间距倒装芯片

[发明专利]具有电介质厚度改进控制的多层电子结构-CN201310157155.1有效
发明人： 卓尔·赫尔维茨;陈先明;黄士辅 -专利权人：珠海越亚封装基板技术股份有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2018-09-28 - 主分类号： H05K1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种具有电介质厚度改进控制的多层电子结构及其制造方法，所述多层电子结构包括层压在介电材料内的铜子结构层，所述介电材料包括在聚合物基质中的连续玻璃纤维，其特征在于，所述介电材料是无孔隙的并且每个介电材料层的厚度控制在预定厚度的+‑3微米内，标准偏差小于1微米。
具有电介质厚度改进控制多层电子结构

[发明专利]在芯片和基板之间的新型端接和连接-CN201410080786.2有效
发明人： 卓尔·赫尔维茨;黄士辅 -专利权人：珠海越亚封装基板技术股份有限公司
申请日： 2014-03-06 - 公布日： 2018-08-10 - 主分类号： H01L23/522 文献下载
摘要：一种将芯片贴附至基板的方法，所述基板具有外层，所述外层包括嵌入在如阻焊层的电介质中的通孔柱，所述通孔柱的端部与所述电介质齐平，所述方法包括以下步骤：(o)任选地移除有机清漆，(p)将包括端接有焊料凸点的引脚的芯片定位为接触所述通孔柱的暴露端部，和(q)加热熔融所述焊料凸点并使所述通孔的端部被焊料润湿。
芯片之间新型端接连接

[发明专利]嵌入式芯片的制造方法-CN201410478551.9有效
发明人： 卓尔·赫尔维茨;黄士辅 -专利权人：珠海越亚封装基板技术股份有限公司
申请日： 2014-09-18 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L21/50 文献下载
摘要：一种制造嵌入式芯片封装体的方法，包括以下步骤获得芯片插座的蜂窝状阵列，使得每个芯片插座被框架所包围，框架具有第一聚合物的聚合物基质和围绕每个插座且穿过框架的至少一个通孔柱；将蜂窝状阵列放置在透明胶带上，使得蜂窝状阵列的底面接触透明胶带；将芯片以端子朝下（倒装芯片）的方式设置在每个芯片插座中，使得芯片的底面接触透明胶带；将芯片与通孔柱对准；在蜂窝状阵列的芯片上及周围施加封装材料，并固化封装材料以将芯片的五个面嵌入；对封装材料进行减薄和平坦化；移除透明胶带；在蜂窝状阵列的底面和芯片的底面上施加导体特征结构层；在蜂窝状阵列的顶面上施加导体特征结构层；切割阵列。
嵌入式芯片制造方法

[发明专利]单层无芯基板-CN201310157191.8有效
发明人： 卓尔·赫尔维茨;陈先明;黄士辅 -专利权人：珠海越亚封装基板技术股份有限公司
申请日： 2013-04-28 - 公布日： 2017-06-06 - 主分类号： H01L23/498 文献下载
摘要：本发明提供一种电子芯片封装，其包括与插件的布线层接合的至少一个芯片，所述插件包括布线层和通孔柱层，其中所述通孔柱层被第一介电材料层包围，所述第一介电材料层包括在聚合物树脂中的玻璃纤维，其中所述电子芯片封装还包括包覆所述至少一个芯片、所述布线层和导线的第二介电材料层。本发明还提供一种制造该电子芯片封装的方法。
单层无芯基板

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