[发明专利]半导体制造装置以及半导体制造装置的控制方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造装置以及半导体制造装置的控制方法。

背景技术

近年来，为了实现IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管）的高性能化和低成本化，半导体晶片的薄型化加快。例如，为了实现IGBT的高性能化和低成本化，必须使半导体晶片的厚度变薄直至成为50μm～100μm左右、或者其以下的厚度。

作为元件厚度薄的半导体装置的制造方法，提出了以下的方法。在半导体晶片的表面形成器件构造后，对半导体晶片的背面进行背面研磨和硅蚀刻直至成为规定的厚度。接着，对形成于半导体晶片的表面的每个器件构造进行切割，将半导体晶片切断成各个半导体芯片。

另外，作为元件厚度薄的半导体装置的其他的制造方法，提出了以下的方法。在半导体晶片的表面形成器件构造后，沿着切割线，在半导体晶片的表面例如形成比半导体装置完成后的规定厚度深的槽。接着，进行半导体晶片背面的背面研磨和硅蚀刻，使半导体晶片变薄直至成为规定的厚度，由此，根据形成于表面的槽，半导体晶片被切断成各个半导体芯片。

作为制造元件厚度薄的半导体装置的其他的方法，还提出了以下的方法。在半导体晶片的表面形成器件构造后，进行半导体晶片背面的背面研磨和硅蚀刻，由此，在比半导体晶片的直径窄的范围仅使半导体晶片的中央部变薄，保留半导体晶片的外周部（以下称作肋部）。然后，在照原样保留半导体晶片的肋部的情况下、或者在除去肋部后进行切割，将半导体晶片切断成各个半导体芯片。

像这样在切割半导体晶片时，为了避免因切割而分离的半导体芯片飞散等问题，例如，众所周知的方法是在半导体晶片的背面粘贴切割片等粘接片并进行切割。在半导体晶片的背面粘贴粘接片并进行切割后，向用于拾取半导体芯片的拾取装置中投入粘贴并固定于粘接片的状态的半导体芯片，从粘接片拾取并分离成各个半导体芯片。

作为从粘接片拾取半导体芯片的方法，提出了以下的方法。例如通过针将半导体芯片从粘贴有粘接片的背面侧向上方托起，由此，减少半导体芯片与粘接片的接触面积。对于通过针被向上方托起的半导体芯片，通过夹头等吸引半导体芯片上表面，由此半导体芯片从粘接片被拾取并被搬送至搭载半导体芯片的下垫板等。但是，在半导体芯片薄型化的情况下，因针的托起，有可能导致半导体芯片的背面损伤或半导体芯片破损。

为了解决这样的问题，作为不进行针的托起的方法，提出了以下的方法。固定夹具包括：在单面上具有多个突起物和侧壁的夹具基台；和与在具有夹具基台的突起物的面上层叠且与侧壁的上表面粘接的紧贴层。在具有夹具基台的突起物的面，由紧贴层、突起物和侧壁形成分区空间，通过贯通孔与真空源连接。经由贯通孔来吸引分区空间内的空气从而使紧贴层变形，并且吸附夹头从芯片的上表面一侧吸引芯片，从紧贴层拾取芯片（例如，参照下述专利文献1）。

另外，作为其他的方法，提出了以下的方法。载置台具有：以覆盖与芯片状零件相对的区域的方式分布的多个吸引槽；和位于这些吸引槽之间且以在至少两处与各个芯片状零件局部相对的方式设置的突起，通过在该载置台上载置保持片，并向吸引槽施加负压，使保持片沿着突起变形，在要从芯片状零件剥离时，首先进一步增强被施加于与芯片状零件的周边部相对的吸引槽的负压，将保持片从芯片状零件的周边部剥离（例如，参照下述专利文献2）。

另外，作为其他的方法，提出了以下的方法。在隔着吸附台的切割用带载置半导体芯片的背面侧的面设置有：吸附面，在其上表面以分别垂直地立起的方式设置有呈凹状且大致呈半球形状的相同高度的多个突起；和侧壁，其位于吸附面的外周部的整个周围，其宽度在0.4mm以下、且高度与突起的高度相同或者与突起的高度之差未满1mm。并且，从在突起彼此之间的谷部、突起的侧面、或两者的至少一个以上设置的吸附孔吸附切割用带，将其吸引到突起，通过夹头从半导体芯片的表面一侧拾取半导体芯片。从吸附孔吸附切割用带时，使得切割用带在切割用带的弹性的范围内略微陷入吸附台的侧壁与吸附面之间（例如，参照下述专利文献3）。

另外，作为避免对半导体芯片造成损伤等的拾取装置，提出了以下的装置。晶片载置台包括：在顶部隔着粘接片保持IC芯片的下表面的多个突起；形成于多个突起的谷部的吸引槽；和真空装置，其经由连接管与该吸引槽连接，利用在吸引槽中产生吸引力，将粘接片从IC芯片上剥离并吸附在突起的谷部（例如，参照下述专利文献4）。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开2008－103493号公报

专利文献2：日本特开平11－54594号公报