[发明专利]半导体制造装置以及半导体制造装置的控制方法

权利要求书

1.一种半导体制造装置，其特征在于：

其是从粘接片拾取通过切割而被切断的半导体芯片的半导体制造装置，

所述半导体制造装置包括：

载置所述半导体芯片的载置台；

在所述载置台的载置所述半导体芯片的面设置的槽；

由所述槽的开口部一侧的端部形成且隔着粘接片保持所述半导体芯片的顶点部；

设置于所述载置台且与所述槽连结的至少一个通气孔；

经由所述通气孔对由所述粘接片和设置于所述载置台的所述槽围成的空间进行减压的减压单元，其中，所述粘接片粘贴在载置于所述载置台的所述半导体芯片的所述载置台一侧的面；

吸引单元，其通过吸引而拾取由所述减压单元对所述空间进行减压而被保持在所述顶点部的所述半导体芯片；和

接触防止板，其以隔开规定间隔的方式配置在所述载置台的上方，在由所述减压单元对所述空间进行减压时防止所述半导体芯片彼此接触。

2.如权利要求1所述的半导体制造装置，其特征在于：

所述半导体制造装置还包括移动单元，所述移动单元在由所述减压单元对所述空间进行减压之前，将所述接触防止板移动至所述载置台的上方，在由所述吸引单元开始拾取所述半导体芯片之前，将所述接触防止板移动至不妨碍所述吸引单元的动作的位置。

3.如权利要求1或2所述的半导体制造装置，其特征在于：

在载置有通过切割而被切断的矩形状的所述半导体芯片的所述载置台的上方，以隔开满足下述公式（1）的规定间隔x的方式配置所述接触防止板，其中，所述半导体芯片的一边长度为a，所述半导体芯片的厚度为b，相邻的所述半导体芯片之间的间隔为c，

x<12(acb+4b2+c2)···(1).]]>

4.如权利要求1至3中任意一项所述的半导体制造装置，其特征在于：

所述接触防止板与载置于所述载置台的所有所述半导体芯片的主面相对。

5.一种半导体制造装置的控制方法，其特征在于：

其是从粘接片拾取通过切割而被切断的半导体芯片的半导体制造装置的控制方法，

所述半导体制造装置的控制方法包括：

载置工序，将所述半导体芯片以粘贴有所述粘接片的一侧的面朝向载置台一侧的方式载置于所述载置台的设置有槽的面；

减压工序，对由所述槽和所述粘接片围成的空间进行减压，使所述半导体芯片保持在由所述槽的开口部一侧的端部形成的顶点部；和

吸引工序，利用吸引单元吸引并拾取被保持在所述顶点部的所述半导体芯片，

在所述减压工序中，通过以隔开规定间隔的方式配置在所述载置台的上方的接触防止板，来防止所述半导体芯片彼此接触。

6.如权利要求5所述的半导体制造装置的控制方法，其特征在于，包括：

第一移动工序，在所述减压工序之前，将所述接触防止板移动至所述载置台的上方，

第二移动工序，在所述载置工序之后所述吸引工序之前，将所述接触防止板移动至不妨碍所述吸引单元的动作的位置。