[发明专利]具有电镀电极的异质结太阳电池及制备方法无效
申请号: | 201310041792.2 | 申请日: | 2013-02-01 |
公开(公告)号: | CN103107212A | 公开(公告)日: | 2013-05-15 |
发明(设计)人: | 邱羽;俞健;孟凡英;刘正新 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/072;H01L31/0747;H01L31/18 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 潘振甦 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 电镀 电极 异质结 太阳电池 制备 方法 | ||
1.一种具有电镀电极的异质太阳电池,包括异质结光伏结构,其特征在于在单面或双面透明导电层上的金属栅线,并且其中的金属栅线至少包括:位于所述的透明导电层之上的金属种子层,以及依次位于金属种子层上面的金属电极,所述的金属电极依次至少包括以下所述多个金属层中一层、两层或三层的组合:
金属粘合层、金属传导层和金属焊接层,金属传导层是必须有的。
2.按权利要求1所述的太阳电池,其特征在于所述的金属粘合层、金属传导层和金属焊接层的厚度依次为0-1000nm、0.1-100μm和0-1000nm;金属种子层的厚度为1-1000nm。
3.按权利要求1或2所述的太阳电池,其特征在于:
(1)所述的金属种子层包括以下金属或化合物中的一个或几种:Ti、W、Cr、Ni、Co、Mo、Sn、Pb、Pd、Cu、Nb、Ru、In、TiBx、TaNx、WNx、TiNx、TiWx、TiSix、TiSiN、TaSiNx、NiV或WBN;
(2)所述的金属栅线中的粘合层,包括Ni、Cu、Ag、Cr、Pb、Sn或In金属及组合,位于金属种子层上面或金属种子层和金属传导层之间;
(3)所述的金属栅线中的传导层,包括Ni、Cu、Ag、Cr、In、Sn、Al或Au金属及组合,位于金属种子层上面或位于金属粘合层上面;
(4)所述的金属栅线中的焊接层,包括Sn、Ag、Pb或In金属及其组合,位于金属传导层上面。
4.按权利要求1所述的太阳电池,其特征在于:
(1)所述的异质结光伏结构包括具有相反掺杂且成份或结构不同的半导体材料,并且其中所述的透明导电层位于所述光伏结构的正反两面之上;
(2)所述透明导电层不仅是导电而且具有透光性,包括以下中的至少一个或叠层:In2O3,In2O3:Sn(ITO),In2O3:W(IWO),ZnO,ZnO:Al(AZO),ZnO:Ga(GZO),CdO,SnO2,SnO2:F(FTO),SnO2:Sb,MgIn2O4,Zn2In2O5,Zn2SnO4,LaB4,TiN,ZrN,PEDOT:PSS,PPY-PVA,聚苯胺,聚噻吩,Au,Al,Pt,Pd,Ag,Cr。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所,未经中国科学院上海微系统与信息技术研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310041792.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:金属氧化物阻变存储器及制造方法
- 下一篇:一种信号指示灯
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的