[发明专利]具有应变区的finFET器件

权利要求书

1.一种制造半导体器件的方法，包括：

提供衬底，在所述衬底上设置有鳍片；

在所述鳍片上形成栅极结构，其中，所述栅极结构与所述鳍片的至少两个侧面通过界面接合；

在所述衬底上沉积应力膜；以及

对包括所述应力膜的所述衬底进行退火，其中，所述退火在所述鳍片的沟道区中提供拉伸应变。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述应力膜是氮化硅。

3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在沉积所述应力膜之前形成缓冲层。

4.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在所述退火之后从所述衬底剥离所述应力膜。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火包括快速热退火、炉内退火、快速退火和激光退火中的至少一种。

6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：

在沉积所述应力膜之前实施预非晶注入(PAI)。

7.一种制造鳍式场效应晶体管的方法，包括：

提供具有多个鳍片的衬底；

在所述衬底上生长外延区，其中，所述外延区与所述多个鳍片中的每个鳍片都通过界面接合；

对所述外延区实施预非晶注入(PAI)；

在所述PAI工艺之后在所述外延区上形成压缩层；

处理所述衬底和所述压缩层，其中，所述处理将应力从所述压缩层传递至所述外延区。

8.根据权利要求7所述的方法，其中，传递的所述应力在所述多个鳍片中的每个鳍片的沟道区中提供拉伸应变。

9.根据权利要求7所述的方法，进一步包括：

在形成所述应力层之前在所述外延区上实施结注入工艺。

10.一种方法，包括：

提供鳍式半导体器件；

在所述鳍式半导体器件上形成压缩应力层；

将应力从所述压缩应力层传递至所述鳍式半导体器件的鳍片的区域；

以及

在传递所述应力之后去除所述压缩应力层。