[发明专利]芯片结构及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片结构，包括功能区，与所述功能区电性连接的多个焊垫，所述多个焊垫位于所述功能区之外，其特征在于：所述多个焊垫中的至少部分焊垫上设有内壁为电连接面的内孔，所述电连接面的面积大于所述焊垫任意侧壁的面积。

2.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，所述多个焊垫仅设置于所述功能区的两相对侧。

3.根据权利要求2所述的芯片结构，其特征在于，所述焊垫的横截面为正方形。

4.根据权利要求1所述的芯片结构，其特征在于，每个焊垫上均设有内壁为电连接面的内孔。

5.根据权利要求4所述的芯片结构，其特征在于，所述内孔为贯穿所述焊垫的上表面和下表面的通孔。

6.一种芯片制造方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

S1、提供一晶圆；

S2、在所述晶圆上形成多个功能区，以及与每个功能区相对应的多个焊垫，所述多个焊垫位于所述功能区之外；

S3、在所述多个焊垫中的至少部分焊垫上形成内壁为电连接面的内孔，所述电连接面的面积大于所述焊垫任意侧壁的面积。

7.根据权利要求6所述的芯片制造方法，其特征在于，仅在每个功能区的两相对侧形成所述多个焊垫。

8.根据权利要求7所述的芯片制造方法，其特征在于， 所述焊垫的横截面为正方形。

9.根据权利要求6所述的芯片制造方法，其特征在于，在所述S3步骤具体包括：

通过镭射工艺在所述多个焊垫中的至少部分焊垫上形成内壁为电连接面的内孔，所述电连接面的面积大于所述焊垫任意侧壁的面积。

10.根据权利要求6所述的芯片制造方法，其特征在于，所述“在所述多个焊垫中的至少部分焊垫上形成内壁为电连接面的内孔”步骤具体为：

在每个焊垫上形成内壁为电连接面的内孔。

11.根据权利要求6或10所述的芯片制造方法，其特征在于，所述内孔为贯穿所述焊垫的上表面和下表面的通孔。