[发明专利]半导体模块,电路基板无效
申请号: | 201280043286.0 | 申请日: | 2012-09-06 |
公开(公告)号: | CN103782379A | 公开(公告)日: | 2014-05-07 |
发明(设计)人: | 高山泰史 | 申请(专利权)人: | 日本特殊陶业株式会社 |
主分类号: | H01L23/12 | 分类号: | H01L23/12;H01L25/07;H01L25/18 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 模块 路基 | ||
技术领域
本发明涉及包含半导体元件、布线基板和散热器在内的半导体模块。
背景技术
一直以来,使用包括在表背两面具备电极的半导体元件、接合于半导体元件的各个面的第1、第2布线基板以及将第1、第2布线基板与半导体元件之间接合的接合层的多层构造的半导体模块。这样的半导体模块例如使用接合层进行制造,该接合层通过形成于第1布线基板侧的第1接合层、以及形成于第2布线基板侧且具有形成为能够容纳半导体元件的开口部的第2接合层层叠而成。
具体而言,通过第1工序和第2工序制造半导体模块,第1工序为,将半导体元件安装于第2接合层的开口部,检查配置于第1接合层上的第1布线基板与半导体元件之间的接合状态,第2工序为,在检查后,在第2接合层的、与层叠有第1接合层的面相反一侧的面上配置第2布线基板,利用第1、第2布线基板夹住半导体元件,并对布线基板、半导体元件以及接合层一体地进行加热压接,从而将半导体元件与布线基板密封、接合。
先行技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2007-287833号公报
然而,在上述技术中,在第1接合层与第2接合层由相同材料形成的情况下,在第1工序与第2工序的各工序的加热处理中,由于第1接合层、第2接合层在大致相同的时刻开始软化,因此在各工序中会产生各种问题。例如,产生如下问题:在第1工序中,第2接合层侵蚀在半导体元件的安装中所使用的加压夹具而导致制造工序复杂化,在第1工序中已经与第1布线基板接合的第1接合层再次软化而导致第1接合层过度变形,向第2接合层施加的加压力减少等。另外,在现有技术中,为了使半导体元件顺利地嵌入开口部内,需要将开口部形成为比半导体元件的外形大。即,在层叠方向的截面中,开口部的截面积比半导体元件的截面积大。因此,在安装半导体元件之后,在半导体元件的侧面与开口部的侧壁之间产生空隙,半导体元件与布线基板之间的绝缘性能可能降低。此外,一直以来期望半导体模块的小型化、制造工序变容易、简单。
发明内容
本发明是为了解决上述问题的至少一部分而完成的,能够通过以下方式实现。
(1)本发明的一个方式提供半导体模块。该半导体模块具备:布线基板,其形成有通路以及布线图案;半导体元件,其配置于上述布线基板的第1面侧;以及接合部,其配置于上述布线基板的上述第1面上,并使上述半导体元件与上述布线基板接合,该接合部由配置于上述布线基板侧的第1接合层和配置于上述半导体元件侧的第2接合层构成;上述第1接合层具备:第1绝缘层,其以无机材料为主要成分;至少一个贯通孔,其形成于上述第1绝缘层的、与上述通路对应的部位;以及导电接合部,其配置于上述贯通孔内,用于使上述布线基板与形成于上述半导体元件的电极部导通;该第1接合层具有开始与上述布线基板接合的温度亦即第1接合开始温度,上述第2接合层具备:第2绝缘层,其以无机材料为主要成分;以及开口部,其与上述贯通孔连通且用于配置上述半导体元件;该第2接合层具有第2接合开始温度,该第2接合开始温度是该第2接合层开始与上述半导体元件接合的温度,且不同于上述第1接合开始温度。根据该方式的半导体模块,用于使布线基板与半导体元件接合的接合层由具有第1接合开始温度的第1接合层和具有不同于第1接合开始温度的、第2接合开始温度的第2接合层形成。因此,在将布线基板与半导体元件进行接合过程中的加热、压接时,第1接合层和第2接合层各自在不同时刻开始与布线基板、半导体元件、其他电子部件接合。因此,能够抑制在第1接合层、第2接合层在大致相同的时刻开始接合的情况下产生的各种问题,能够提高使用电路基板制造半导体模块的情况下的制造效率。
(2)在上述方式的半导体模块中,也可以是,上述第1接合开始温度比上述第2接合开始温度低。根据该方式的半导体模块,第1接合开始温度比第2接合开始温度低。因此,在以第1接合开始温度进行的半导体安装时的加热、加压处理中,抑制了第2接合层的变形。因此,能够在半导体安装时抑制第2接合层侵蚀在半导体安装中所使用的加压夹具,因此能够抑制制造工序的复杂化,能够提高制造效率。
(3)在上述方式的半导体模块中,也可以是,上述第1接合开始温度比上述第2接合开始温度高。根据该方式的半导体模块,第1接合开始温度比上述第2接合开始温度高。因此,能够抑制在以第2接合开始温度使第2接合层与其他零件接合时,已经与半导体元件、布线基板接合的第1接合层因再次加热、加压而过度变形、向第2接合层施加的压力减少的情况。因此,能够提高制造效率。
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