[发明专利]具有多个层叠的半导体设备及方法有效
| 申请号: | 201280028890.6 | 申请日: | 2012-04-27 |
| 公开(公告)号: | CN103620781B | 公开(公告)日: | 2017-02-15 |
| 发明(设计)人: | 丹沢彻 | 申请(专利权)人: | 美光科技公司 |
| 主分类号: | H01L27/115 | 分类号: | H01L27/115;H01L21/8247 |
| 代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司11287 | 代理人: | 孙宝成 |
| 地址: | 美国爱*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 具有 层叠 半导体设备 方法 | ||
优先权申请案
本申请案主张来自2011年4月28日提出申请的第13/096,822号美国申请案的优先权权益,所述美国申请案以全文引用的方式并入本文中。
技术领域
背景技术
已在许多电子装置(例如个人数字助理(PDA)、膝上型计算机、移动电话及数码相机)中使用具有多层叠的半导体构造。这些半导体构造中的一些半导体构造具有电荷存储晶体管的阵列。
发明内容
附图说明
在随附图式的图中通过实例而非限制方式图解说明一些实施例,其中:
图1是根据本发明的各种实施例的半导体存储器装置的三维视图;
图2是根据本发明的各种实施例的半导体构造的前视图;
图3是根据本发明的各种实施例的半导体构造的前视图;
图4是根据本发明的各种实施例的半导体构造的前视图;
图5是根据本发明的各种实施例的半导体构造的俯视图;
图6是根据本发明的各种实施例的半导体构造的俯视图;
图7是根据本发明的各种实施例的半导体构造的俯视图;
图8是根据本发明的各种实施例的半导体构造的俯视图;
图9是根据本发明的各种实施例的半导体构造的俯视图;
图10是根据本发明的各种实施例的半导体构造的俯视图;
图11是根据本发明的各种实施例的解码器晶体管的三维视图;
图12是根据本发明的各种实施例的存储器单元的三维视图;
图13是根据本发明的各种实施例的半导体构造的示意图;
图14是根据本发明的各种实施例的半导体构造的俯视图。
图15是根据本发明的各种实施例的半导体构造的截面图。
图16是根据本发明的各种实施例的半导体构造的截面图。
图17是根据本发明的各种实施例的半导体存储器装置的透视图。
图18是根据本发明的各种实施例的半导体构造的示意图。
图19是根据本发明的各种实施例的半导体构造的截面图。
图20是根据本发明的各种实施例的半导体构造的截面图。
图21是根据本发明的各种实施例的半导体存储器装置的截面图。
图22是根据本发明的各种实施例的半导体存储器装置的截面图。
图23是根据本发明的各种实施例的方法的流程图;且
图24是图解说明根据本发明的各种实施例的系统的图式。
具体实施方式
三维半导体装置中的组件密度随竞争而不断增加以增加装置的销售。本发明人已发现,可通过在多个半导体材料层叠中的每一层叠中制作相应第一装置的至少相应部分及相应第二装置的至少一部分而解决上文所提及的挑战以及其它挑战。举例来说,在存储器装置的同一半导体材料层叠中制作外围电路(例如存取线解码器电路或数据线多路复用电路)的三维晶体管的一部分及三维存储器单元的一部分。所得存储器装置可在无需用以制作至少一个外围电路的晶体管的显著额外处理事件的情况下提供增加的存储器单元密度。
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- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





