[发明专利]具有多个层叠的半导体设备及方法

权利要求书

1.一种设备，其包括多个半导体材料层叠：

存储器单元的一部分，其在所述半导体材料层叠中的特定一者中；及

外围晶体管的一部分，其在所述半导体材料层叠中的所述特定一者中。

2.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述存储器单元的所述部分包括存取线；且

所述晶体管的所述部分包括解码器晶体管的源极、沟道及／或漏极。

3.根据权利要求1所述的设备，其中：

所述存储器单元的所述部分包括存储器单元晶体管的主体；且

所述晶体管的所述部分包括外围晶体管的主体。

4.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括：

第一半导体材料柱，其邻近于所述半导体材料层叠中的所述特定一者，在所述第一柱中具有所述存储器单元的另一部分；及

第二半导体材料柱，其邻近于所述半导体材料层叠中的所述特定一者，在所述第二柱中具有所述外围晶体管的另一部分。

5.根据权利要求4所述的设备，其中所述第一柱与所述第二柱由所述相同半导体材料形成。

6.根据权利要求3所述的设备，其中：

所述存储器单元的所述另一部分包括所述存储器单元的源极、沟道及／或漏极；且

所述解码器晶体管的所述另一部分包括所述外围晶体管的栅极。

7.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器单元的所述部分耦合到所述外围晶体管的所述部分。

8.根据权利要求1所述的设备，其中所述存储器单元的所述部分耦合到形成于所述层叠中的不同层叠中的另一外围晶体管的一部分。

9.一种设备，其包括：

多个半导体材料层叠；及

狭槽，其穿过所述半导体材料层叠以将所述半导体材料层叠的第一部分与所述半导体材料层叠的第二部分分离，

其中每一半导体材料层叠包括在所述半导体材料层叠的所述第一部分中的相应存储器单元的相应部分及在所述半导体材料层叠的所述第二部分中的相应外围晶体管的相应部分。

10.根据权利要求9所述的设备，其中所述半导体材料层叠的所述第一部分中的存储器单元的每一部分耦合到所述半导体材料层叠的所述第二部分中的相应外围晶体管的所述部分中的相应一者。

11.根据权利要求9所述的设备，其中所述存储器单元的所述部分包括所述存储器单元的存取线，且其中所述外围晶体管的所述部分包括解码器晶体管的源极、沟道及／或漏极。

12.根据权利要求9所述的设备，其进一步包括延伸穿过多个所述半导体材料层叠的第一半导体材料柱，所述第一半导体材料柱包括所述存储器单元中的至少一者的源极、沟道及／或漏极。

13.根据权利要求12所述的设备，其进一步包括延伸穿过所述多个所述半导体材料层叠的第二半导体材料柱，所述第二半导体材料柱包括所述外围晶体管中的至少一者的栅极。

14.根据权利要求9所述的设备，其中所述半导体材料包括n型多晶硅。

15.一种设备，其包括：

第一半导体材料的多个层叠，每一层叠包括相应存储器单元的存取线以及相应外围晶体管的源极、沟道及／或漏极；及

第二半导体材料的多个柱，其延伸穿过所述第一半导体材料的所述层叠，所述柱中的第一者包括所述存储器单元中的至少一者的源极、沟道及／或漏极，且所述柱中的第二者包括所述外围晶体管中的至少一者的栅极。

16.根据权利要求15所述的设备，其中每一存取线耦合到所述外围晶体管中的相应一者的所述源极及所述漏极中的一者。

17.根据权利要求15所述的设备，其中：

所述第一半导体材料包括n型硅；且

所述第二半导体材料包括多晶硅。

18.根据权利要求15所述的设备，其中所述外围晶体管中的每一者包括多个栅极。