[实用新型]一种LED以及侧壁图形化的LED芯片

权利要求书

1.一种侧壁图形化的LED芯片，包括堆栈结构、N电极和P电极，所述N电极和P电极设置在堆栈结构上，其特征在于，堆栈结构的侧壁上有连续分布的有规则的曲面图形化结构。

2.根据权利要求1所述的侧壁图形化的LED芯片，其特征在于， 所述堆栈结构包括衬底、位于衬底之上的N型氮化镓层、量子阱发光层、P型氮化镓层、透明导电层，N电极位于N型氮化镓层之上，P电极位于透明导电层之上 。

3.根据权利要求1所述的侧壁图形化的LED芯片，其特征在于，所述堆栈结构包括衬底、位于衬底之下的N型氮化镓层、量子阱发光层、P型氮化镓层、反射层，N电极位于N型氮化镓层之下，P电极位于反射层之下。

4.根据权利要求1所述的侧壁图形化的LED芯片，其特征在于，所述LED芯片还包括基底，所述P电极位于基底下端面，所述堆栈结构位于基底上端面，所述N电极位于堆栈结构上端面，堆栈结构包括依次层叠的P型氮化镓层、量子阱发光层和N型氮化镓层。

5.根据权利要求1至4任意一项所述的侧壁图形化的LED芯片，其特征在于，所述有规则的曲面图形化结构为连续分布的有规则的半圆形状。

6.根据权利要求1至4任意一项所述的侧壁图形化的LED芯片，其特征在于，所述有规则的曲面图形化结构为波浪形结构。

7.根据权利要求1至4任意一项所述的侧壁图形化的LED芯片，其特征在于，所述连续分布的有规则的曲面图形化结构按堆栈结构的层叠方向纵向并排分布 。

8.根据权利要求7所述的侧壁图形化的LED芯片，其特征在于，纵向并排分布包括垂直的或与垂直方向成角度倾斜的形式。

9.根据权利要求8所述的侧壁图形化的LED芯片，其特征在于，所述连续分布的有规则的曲面图形化结构在垂直方向呈S型曲线或折线的形式。

10.一种LED，其特征在于，LED的芯片为如权利要求1至9任意一项所述的侧壁图形化的LED芯片。