[实用新型]一种扇出型圆片级芯片封装结构

权利要求书

1.一种扇出型圆片级芯片封装结构，包括芯片（1）、高密度布线层（4）和焊球凸点（7），所述芯片（1）包括芯片本体（11），所述芯片本体（11）的上表面设置数个芯片电极（111），所述高密度布线层（4）包括介电层（41）和设置在介电层（41）内部的再布线金属走线（42），所述再布线金属走线（42）的两端分别设置金属电极Ⅰ（421）和金属电极Ⅱ（422），其特征在于：所述封装结构还包括金属微结构（2）、硅腔体（5）和键合层（6），所述金属微结构（2）包括金属柱（21）和设置在金属柱（21）一端的金属微凸点（22），所述金属柱（21）另一端与芯片电极（111）连接，所述金属电极Ⅰ（421）的上端面与金属微凸点（22）连接，所述金属电极Ⅱ（422）的下端面与焊球凸点（7）连接，所述芯片（1）通过金属微结构（2）倒装在高密度布线层（4）上表面的金属电极Ⅰ（421）上；

所述硅腔体（5）包括硅本体（51），所述硅本体（51）上设有硅腔（511），所述硅腔体（5）将芯片（1）扣置在硅腔（511）内，所述高密度布线层（4）与硅腔体（5）通过键合层（6）键合，所述芯片（1）和硅腔（511）之间设置包封料层（52）。

2.根据权利要求1所述的一种扇出型圆片级芯片封装结构，其特征在于：所述硅腔（511）的纵切面呈梯形、长方形或方形。

3.根据权利要求1所述的一种扇出型圆片级芯片封装结构，其特征在于：所述封装结构还包括填充料（3）。

4.根据权利要求3所述的一种扇出型圆片级芯片封装结构，其特征在于：所述填充料（3）设置在金属微结构（2）和金属微结构（2）之间以及金属微结构（2）的外围空间。

5.根据权利要求3所述的一种扇出型圆片级芯片封装结构，其特征在于：所述填充料（3）设置在芯片（1）和高密度布线层（4）之间的空间。

6.根据权利要求1所述的一种扇出型圆片级芯片封装结构，其特征在于：所述包封料层（52）的包封材料为环氧树脂。

7.根据权利要求1所述的一种扇出型圆片级芯片封装结构，其特征在于：所述金属柱（21）的材料为铜或铜/镍复合层。

8.根据权利要求1所述的一种扇出型圆片级芯片封装结构，其特征在于：所述金属微凸点（22）的材料为锡或锡合金。

9.根据权利要求1所述的一种扇出型圆片级芯片封装结构，其特征在于：所述键合层（6）为键合胶。