[发明专利]用于隔离噪声的半导体密封环设计无效
| 申请号： | 201210581756.0 | 申请日： | 2012-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN103489851A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 苏曼特·兰加纳森;肯特·查尔斯·奥尔特勒;万佑宏 | 申请（专利权）人： | 美国博通公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人： | 田喜庆 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 隔离 噪声 半导体 密封 设计 | ||
1.一种半导体结构，包括：
衬底层；
导电层，与所述衬底层连接；
有源电路，与所述导电层连接；
密封环，与所述导电层连接并通过组装隔离区域与所述有源电路分开；以及
电隔离区域，位于所述导电层中且与所述组装隔离区域相邻，其中所述电隔离区域延伸至所述衬底层。
2.权利要求1所述的半导体结构，其中，所述有源电路包括噪声敏感电路和噪声电路。
3.权利要求2所述的半导体结构，其中，所述噪声敏感电路和所述噪声电路包括模拟电路和数字电路中的至少一种。
4.权利要求3所述的半导体结构，还包括电气隔离所述模拟电路和所述数字电路的有源隔离区域。
5.权利要求1所述的半导体结构，其中，所述导电层包括p井。
6.权利要求1所述的半导体结构，其中，所述电气隔离区包括浅沟槽隔离层和本地层，所述本地层与所述浅沟槽隔离层和所述衬底层连接。
7.权利要求6所述的半导体结构，其中，所述本地层包括源自所述衬底层的本地氧化物。
8.权利要求1所述的半导体结构，其中，所述电隔离区域包括浅沟槽隔离层和连接所述浅沟槽隔离层的井层，其中所述井层延伸至所述衬底中。
9.一种半导体结构，包括：
导电层；以及
电隔离区域，位于所述导电层中，所述电隔离区域在有源电路和密封环之间电气断开所述导电层。
10.一种芯片，包括：
衬底层；
导电层，与所述衬底层连接，所述导电层包括电隔离区域；
密封环，与所述导电层连接；以及
有源电路，与所述导电层连接，所述有源电路通过所述电隔离区域与所述密封环电气隔离，其中所述电隔离区域与所述衬底连接。
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