[发明专利]发光芯片组合有效
| 申请号: | 201210561892.3 | 申请日: | 2012-12-22 |
| 公开(公告)号: | CN103887418B | 公开(公告)日: | 2017-06-30 |
| 发明(设计)人: | 赖志成 | 申请(专利权)人: | 赛恩倍吉科技顾问(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | H01L33/62 | 分类号: | H01L33/62;H01L33/38 |
| 代理公司: | 深圳市赛恩倍吉知识产权代理有限公司44334 | 代理人: | 薛晓伟 |
| 地址: | 518109 广东省深圳*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 发光 芯片 组合 | ||
技术领域
本发明涉及一种芯片组合,特别是指一种发光芯片组合。
背景技术
发光二极管作为新兴的光源,已被广泛地应用于各种用途当中。发光二极管通常包括基座、安装于基座上的芯片及覆盖芯片的封装体。芯片由基板及依次生长于基板上的N型半导体层、发光层及P型半导体层组成。芯片还会分别在其N型半导体层及P型半导体层上形成P电极及N电极,以与基座电连接。当前,有部分芯片是直接采用导电材料来制造其基板的,业界通常称之为垂直导通型芯片。此种芯片的基板可直接作为N型半导体层的电极使用,因而此种芯片仅会在其P型半导体层的顶部形成P电极。工作时,电流从P电极进入芯片内,并经由基板输出至基座。
然而,此种垂直导通型芯片的P电极往往是仅覆盖住P型半导体层的顶部的中间区域,导致电流在芯片内传输时也趋向于集中在芯片的中部,芯片两侧区域的电流则较少。由此,电流在芯片内的分布出现中间多两侧少的情况,致使芯片中部区域受电流所激发的光线要多于芯片两侧区域受电流所激发的光线,使芯片无法均匀地发光。此种情况在大面积的芯片当中更为明显,严重影响到芯片的正常使用。
发明内容
因此,有必要提供一种具有均匀光输出的发光芯片组合。
一种发光芯片组合,包括导电基板、与导电基板电连接并依次堆叠的第一半导体层、发光层、第二半导体层及电极,基板包括多个电流壁障,这些电流壁障的密度及尺寸中的至少一个从对应电极的位置处朝向基板的周边减小。
由于电流壁障的密度或尺寸从对应电极的位置处朝向基板的周边减小,因此从电极进入芯片内的电流在电流壁障的阻挡下会向芯片周边扩散,从而在芯片内分布均匀。分布均匀的电流进而激发发光层发出均匀的光线,使芯片获得理想的出光效果。
下面参照附图,结合具体实施例对本发明作进一步的描述。
附图说明
图1示出本发明第一实施例的发光芯片组合。
图2示出本发明第二实施例的发光芯片组合。
图3示出本发明第三实施例的发光芯片组合。
图4示出本发明第四实施例的发光芯片组合。
主要元件符号说明
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