[发明专利]基于二氧化铪的电子束套刻标记及其制作方法有效
| 申请号： | 201210475683.7 | 申请日： | 2012-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN102969302A | 公开（公告）日： | 2013-03-13 |
| 发明（设计）人： | 曾成;夏金松;张永 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | H01L23/544 | 分类号： | H01L23/544;H01L21/02;G03F9/00 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 李智 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 氧化 电子束 标记 及其 制作方法 | ||
1.一种基于二氧化铪的电子束光刻套刻标记，其特征在于，包括衬底和镀在衬底上的二氧化铪薄膜标记。
2.根据权利要求1所述的电子束光刻套刻标记，其特征在于，所述二氧化铪薄膜标记为正方形、十字形或L形。
3.根据权利要求1或2所述的电子束光刻套刻标记，其特征在于，所述二氧化铪薄膜标记厚度10~1000nm。
4.一种基于二氧化铪的电子束光刻套刻标记制作方法，具体为：
（1）清洗衬底；
（2）在衬底上旋涂电子抗蚀剂，通过电子束光刻工艺在电子抗蚀剂中形成套刻标记的图形阵列；
（3）在电子抗蚀剂和衬底上蒸镀二氧化铪薄膜；
（4）剥离附着在电子抗蚀剂的二氧化铪薄膜，得到二氧化铪薄膜标记。
5.根据权利要求4所述的电子束光刻套刻标记制作方法，其特征在于，所述二氧化铪薄膜厚度10~1000nm。
6.根据权利要求4或5所述的电子束光刻套刻标记制作方法，其特征在于，所述套刻标记为正方形、十字形或“L”形。
7.根据权利要求4或5所述的电子束光刻套刻标记制作方法，其特征在于，所述步骤（2）采用正性电子抗蚀剂。
8.根据权利要求4或5所述的电子束光刻套刻标记制作方法，其特征在于，所述步骤（3）的蒸镀方法为电子束蒸发镀膜法。
9.根据权利要求4或5所述的电子束光刻套刻标记制作方法，其特征在于，所述步骤（4）的剥离试剂选用丙酮，交替使用丙酮超声清洗和去离子水冲洗以加快剥离速度。
10.按照权利要求3-9任意一项权利要求所述的制作方法制备得到的电子束光刻套刻标记。
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