[发明专利]用于半导体功率器件的终端有效
| 申请号： | 201210371127.5 | 申请日： | 2012-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN102856356A | 公开（公告）日： | 2013-01-02 |
| 发明（设计）人： | 喻巧群;朱阳军;褚为利;田晓丽;吴振兴;陆江 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所;江苏中科君芯科技有限公司;江苏物联网研究发展中心 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 11302 | 代理人： | 刘丽君 |
| 地址： | 100029 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 功率 器件 终端 | ||
1.用于半导体功率器件的终端，其特征在于，包含至少两层场板和至少一个场限环；所述每层场板包含至少两块场板，其中，位于主结正上方的各个场板互相连接，并且所述主结与位于该主结正上方的相应场板连接，余下的场板之间通过绝缘材料隔开，同时所述场板位于终端部分的器件衬底外的上方；所述场限环位于终端部分的器件衬底里，在所述场限环的外侧设置有沟道截止环；所述上下相邻各层场板的各块场板上下交错排列，同时所述场板在垂直方向上投影叠加形成的截面的面积与整个终端的横截面积相等。
2.如权利要求1所述的用于半导体功率器件的终端，其特征在于，所述场板的层数为两层，即第一层场板和第二层场板，所述第一层场板的每块场板分别与位于各该场板下方的场限环连接，所述沟道截止环与位于该沟道截止环上的场板连接。
3.如权利要求1所述的用于半导体功率器件的终端，其特征在于，所述场板的层数为两层，即第一层场板和第二层场板，所述第一层场板的每块场板与位于各该场板下方的场限环和沟道截止环通过绝缘材料隔开。
4.如权利要求1至3任一项所述的用于半导体功率器件的终端，其特征在于，所述第一层场板的各个场板包含至少一级。
5.如权利要求1至3任一项所述的用于半导体功率器件的终端，其特征在于，所述主结和所述场限环都是重掺杂的第二导电类型，所述沟道截止环是重掺杂的第一导电类型。
6.如权利要求1至3任一项所述的用于半导体功率器件的终端，其特征在于，所述第一层场板、第二层场板和绝缘材料层在制作器件有源区的过程中同时形成。
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