[发明专利]晶体管结构及其封装方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种晶体管结构及其封装方法，尤其是有关于一种具有二导脚的晶体管结构及其封装方法。

背景技术

近年来由于电子电路的技术不断地发展，各种电力／电子组件的保护电路被广泛地实施于诸多应用中。传统的保护电路当中，例如一RCD缓冲电路，请参阅图19所示，是将电阻R6与电容C12并接后，串接二极管D11而形成一RCD缓冲电路400。然而，该RCD缓冲电路的能量损耗很高、效率差且突波电压值高，故采用传统的RCD缓冲电路易造成半导体组件的损坏。因此，需要一种新颖的电子组件可取代二极管D11以提升缓冲电路的电路保护的效能。

发明内容

本发明的一目的在提供一种晶体管结构及其封装方法，是可使用于缓冲电路，让缓冲电路可有效保护组件及提高效率。

本发明的一目的在提供一种晶体管结构及其封装方法，是可简化制程、缩小体积以及增加耐压距离。

为达上述目的，本发明的晶体管结构是包含一芯片封装体以及二导脚，其中该芯片封装体是包含一晶体管晶粒及一包覆该晶体管晶粒的封装胶体；而该等导脚的一第一导脚是电连接该晶体管晶粒的第一焊垫与第二焊垫，该等导脚的一第二导脚是电连接该晶体管晶粒的第三焊垫。

如上所述的晶体管结构，其中该晶体管结构的第一导脚或第二导脚是连接一电容器的一端，而形成一缓冲(snubber)电路以并接一主动组件或一负载。

如上所述的晶体管结构，其中该电容器的一端更连接一齐纳二极管的一端，该电容器的另一端是连接该齐纳二极管的另一端，而形成一阻尼电路以并接一主动组件或一负载。

如上所述的晶体管结构，其中该晶体管结构的第一导脚或第二导脚是连接一电阻器的一端，该电阻器的另一端是连接一电容器的一端，而形成一阻尼电路以并接一主动组件或一负载。

如上所述的晶体管结构，其中该主动组件是为一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、一二极管(diode)、一双极性结型晶体管(BJT)、一绝缘栅双极晶体管(IGBT)、一静电感应晶体管(SIT)、一闸流体或其组成的电路，而该负载是为一电感、一电阻、一电容或其组成的电路。

如上所述的晶体管结构，其中该晶体管晶粒是为一双极性结型晶体管晶粒。

如上所述的晶体管结构，其中该晶体管晶粒的第一焊垫是为一发射极焊垫，该第二焊垫是为一基极焊垫，而该第三焊垫是为一集电极焊垫。

如上所述的晶体管结构，其中该第一焊垫、第二焊垫以及第三焊垫是通过打线接合的方式电连接该等导脚。

如上所述的晶体管结构，其中该打线接合的方式是通过三条导线分别连接该等导脚。

如上所述的晶体管结构，其中该第一焊垫、第二焊垫是电连接，且通过一导线与其中一导脚连接，而该第三焊垫是通过一导线与另一导脚连接。

如上所述的晶体管结构，其中该第一焊垫、第二焊垫以及第三焊垫是通过倒装片接合的方式电连接该等导脚。

如上所述的晶体管结构，其中该芯片封装体更包含一芯片座，且该晶体管晶粒是通过一黏着层配置在该芯片座上。

藉此，使本发明的晶体管结构利用一导脚电连接该晶体管晶粒的第一焊垫与第二焊垫，另一导脚是电连接该晶体管晶粒的第三焊垫，可将该晶体管结构使用于缓冲电路，或是将缓冲电路直接封装在二导脚晶体管结构中以并接一主动组件或一负载，而可吸收主动组件在高频切换时产生的突波或噪声，使该晶体管结构在封装上可达到简化制程、缩小体积以及增加耐压距离的功效，且可让使用缓冲电路的电源供应器达到提高效率及降低突波电压的功效。

应了解的是，上述一般描述及以下具体实施方式仅为例示性及阐释性的，其并不能限制本发明所欲主张的范围。

附图说明

图1A是为本发明第一实施例的晶体管结构示意图。

图1B是为本发明第二实施例的晶体管结构示意图。

图1C是为本发明第三实施例的晶体管结构示意图。

图2A是为本发明的晶体管晶粒为双极性结型晶体管晶粒的示意图。

图2B是为本发明的晶体管晶粒为双极性结型晶体管晶粒的示意图。

图2C是为本发明的双极性结型晶体管晶粒与电容晶粒连接的示意图。

图2D是为本发明的双极性结型晶体管晶粒与电容晶粒、齐纳二极管连接的示意图。

图3至图7是为本发明利用打线接合方式电连接导脚与焊垫的各实施例晶体管封装的剖面示意图。

图8至图9是为本发明利用倒装片接合方式电连接导脚与焊垫的各实施例晶体管封装的剖面示意图。