[发明专利]晶体管结构及其封装方法

权利要求书

1.一种晶体管结构，其特征在于包含:

一芯片封装体，是包含一晶体管晶粒及一包覆该晶体管晶粒的封装胶体；以及

二导脚，其中一第一导脚是电连接该晶体管晶粒的第一焊垫与第二焊垫，而一第二导脚是电连接该晶体管晶粒的第三焊垫。

2.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该芯片封装体更包含:

一电容晶粒，其中该电容晶粒的第一焊垫是电连接该晶体管晶粒的第一焊垫或第三焊垫，而该电容晶粒的第二焊垫是电连接该第一导脚或第二导脚，且该封装胶体是包覆该电容晶粒。

3.如权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，该芯片封装体更包含:

一齐纳二极管晶粒，其中该齐纳二极管晶粒的第一焊垫是电连接该电容晶粒的第一焊垫与该晶体管晶粒的第一焊垫或第三焊垫，而该齐纳二极管晶粒的第二焊垫是电连接该电容晶粒的第二焊垫或该晶体管晶粒的第一焊垫或第三焊垫，且该封装胶体是包覆该齐纳二极管晶粒。

4.如权利要求2所述的晶体管结构，其特征在于，该芯片封装体更包含:

一电阻晶粒，其中该电阻晶粒的第一焊垫是电连接该晶体管晶粒的第一焊垫或第三焊垫，而该电阻晶粒的第二焊垫是电连接该电容晶粒的第一焊垫，且该封装胶体是包覆该电阻晶粒。

5.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该晶体管结构的第一导脚或第二导脚是连接一电容器的一端，而形成一缓冲电路以并接一主动组件或一负载。

6.如权利要求5所述的晶体管结构，其特征在于，该电容器的一端更连接一齐纳二极管的一端，该电容器的另一端是连接该齐纳二极管的另一端，而形成一缓冲电路以并接一主动组件或一负载。

7.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该晶体管结构的第一导脚或第二导脚是连接一电阻器的一端，该电阻器的另一端是连接一电容器的一端，而形成一缓冲电路以并接一主动组件或一负载。

8.如权利要求5、6或7所述的晶体管结构，其特征在于，该主动组件是为一金属氧化物半导体场效应晶体管、一二极管、一双极性结型晶体管、一绝缘栅双极晶体管、一静电感应晶体管、一闸流体或其组成的电路，而该负载是为一电感、一电阻、一电容或其组成的电路。

9.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该晶体管晶粒是为一双极性结型晶体管晶粒。

10.权利要求9所述的晶体管结构，其特征在于，该晶体管晶粒的第一焊垫是为一发射极焊垫，该第二焊垫是为一基极焊垫，而该第三焊垫是为一集极焊垫。

11.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该第一焊垫、第二焊垫以及第三焊垫是通过打线接合的方式电连接该等导脚。

12.如权利要求11所述的晶体管结构，其特征在于，该打线接合的方式是通过三条导线分别连接该等导脚。

13.如权利要求11所述的晶体管结构，其特征在于，该第一焊垫、第二焊垫是电连接，且其中一导脚是通过一导线连接该第一焊垫或第二焊垫，而该第三焊垫是通过一导线与另一导脚连接。

14.如权利要求13所述的晶体管结构，其特征在于，该第一焊垫是通过一导线或一焊料与该第二焊垫电连接。

15.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该芯片封装体更包含一芯片座，且该晶体管晶粒是通过一黏着层配置在该芯片座上。

16.如权利要求1所述的晶体管结构，其特征在于，该第一焊垫、第二焊垫以及第三焊垫是通过倒装片接合的方式电连接该等导脚。

17.一种晶体管封装方法，其晶体管封装方法的特征在于包含:

提供具有第一焊垫、第二焊垫及第三焊垫的一晶体管晶粒；

于该第一焊垫及第二焊垫的表面上分别形成一导线电连接一第一导脚；

于该第三焊垫的表面上形成一导线电连接一第二导脚；以及

提供一封装胶体包覆该晶体管晶粒、该等导线及该等导脚的一部分。

18.一种晶体管封装方法，其晶体管封装方法的特征在于包含:

提供具有第一焊垫、第二焊垫及第三焊垫的一晶体管晶粒；

于该第一焊垫及第二焊垫的表面上分别形成一焊料电连接一第一导脚；

于该第三焊垫的表面上形成一焊料电连接一第二导脚；以及

提供一封装胶体包覆该晶体管晶粒、该等焊料及该等导脚的一部分。