[发明专利]互连结构及其形成方法

权利要求书

1.一种器件，包括：

衬底；

第一蚀刻终止层，位于所述衬底上方；

介电层，具有顶部和底部，所述介电层位于所述第一蚀刻终止层上方，其中，所述介电层包含碳并且所述顶部和所述底部中的C含量的差值小于2at％；

导体，位于所述介电层中，其中，所述导体的表面中的氧含量小于约1at％；以及

第二蚀刻终止层，位于所述介电层的顶部上方。

2.根据权利要求1所述的器件，其中，所述介电层的顶部中的C含量小于所述介电层的底部中的C含量。

3.根据权利要求1所述的器件，其中，所述介电层的顶部中的C含量不小于约10at％。

4.根据权利要求1所述的器件，其中，所述介电层的顶部的厚度介于约10埃和约50埃之间。

5.根据权利要求1所述的器件，其中，所述介电层的顶部的厚度是所述介电层的厚度的约1％至约5％。

6.根据权利要求1所述的器件，其中，所述第二蚀刻终止层和所述介电层之间的粘着强度约为13J/m²以上。

7.根据权利要求1所述的器件，其中，所述导体的表面基本不含有CuO_X。

8.根据权利要求1所述的器件，其中，所述介电层的顶部的介电常数和所述介电层的底部的介电常数之间的差值小于约2％。

9.一种半导体器件，包括：

半导体衬底；

第一蚀刻终止层，位于所述半导体衬底上方；

粘着层，位于所述第一蚀刻终止层上方；

低k介电层，包含C、Si、O元素，所述低k介电层位于所述粘着层上方，其中，所述低k介电层具有上部和下部，所述上部中的C原子百分比小于所述下部中的C原子百分比，所述上部和所述下部中的C含量差值小于约2at％；

导体，位于所述介电层中，其中，所述导体的表面中的氧含量小于约1at％；以及

第二蚀刻终止层，位于所述导体和所述低k介电层上方。

10.一种方法，包括：

在衬底上方形成第一蚀刻终止层；

在所述第一蚀刻终止层上方形成包含C的低k介电层；

在所述低k介电层中形成开口；

用导电层填充所述开口；

对所述低k介电层和所述导电层实施远程等离子体处理；以及

在处理后的导电层和处理后的低k介电层上方形成第二蚀刻终止层。