[发明专利]一种发光器件包及其制造方法

说明书

本申请是申请人于2007年2月2日提交的申请号为200710007796.3，题为“引线框和使用它的发光器件包”专利申请的分案申请。

本申请要求于2006年2月2日提交的韩国专利申请No.10-2006-0010003和于2006年8月30日提交的韩国专利申请No.10-2006-0083014的利益，这些专利申请通过参考由此包括，就像在这里完全阐明的一样。

技术领域

本发明涉及一种引线框和一种使用它的发光器件包，并且更具体地说，涉及一种引线框和一种使用该引线框的发光器件包，该引线框可容易地制造并且允许多芯片结构的应用。

背景技术

发光二极管（LED）作为把电流转换成光以发射光的半导体发光器件是公知的。自从使用GaAsP化合物半导体的红色LED在1962年可以购买到开始，它已经与基于GaP:N的绿色LED一起用作电子设备中的光源，用于图像显示。

从这样一种LED发射的光的波长取决于用来构造LED的半导体材料。这是因为发射光的波长取决于表示在价带电子与导带电子之间的能量差的半导体材料的带隙。

氮化镓（GaN）化合物半导体在大功率电子器件中已经被重视，因为它呈现很高的热稳定性和0.8至6.2eV的宽带隙。为什么GaN化合物半导体已经被重视的原因之一是，可以使用GaN与其它元素例如铟（In）、铝（Al）等等的组合而构造能够发射绿色、蓝色、及白色光的半导体层。

因此，可以与其它元素相组合地使用GaN来调节待发射的光的波长。因而，在使用GaN的场合，可以按照应用LED的设备的特性，适当地确定期望LED的材料。例如，可以构造对于光学记录有用的蓝色LED，或白色LED以代替辉光灯。

另一方面，最初开发的绿色LED使用GaP制造。由于GaP是引起效率变坏的间接过渡材料，所以使用这种材料制造的绿色LED实际上不能产生纯绿色光。然而，凭借最近InGaN薄膜的生长（growth）成功，已经有可能构造高发光性绿色LED。

由于基于GaN的LED的上述优点和其它优点，基于GaN的LED市场已经迅速增长。而且，自从GaN基LED在1994年变得可以购买到开始，与基于GaN的电-光器件相关联的技术被迅速开发。

基于GaN的LED已经发展成呈现优于辉光灯的发光效率。当前，基于GaN的LED的效率充分等于荧光灯的效率。因而，预测基于GaN的LED市场将显著地增长。

这样一种LED为了其使用与其它之前制造的元件包装到一起。LED包10的例子在图1中描述。

描述的LED包10包括：塑料包装本体11，在其中包括散热器12；和LED芯片20，其安装在包装本体11上。

LED芯片20经导线14电气连接到引线13上。密封材料，例如树脂15和硅树脂17，填充在LED芯片20上方，以及接下来，透镜16又提供在密封材料上方。

在具有上述结构的LED包中，在LED的操作期间产生的热量经包装本体11传递。然而，由于包装本体11由呈现低传热速率的塑料材料制成，所以有下降的热量排出效果、和因而LED光学特性退化的缺点。

此外，用来把散热器12插入到在塑料包装本体11中打出的孔中的包装过程难以期望快速处理速率，并且如果散热器12的宽度不等于在塑料包装本体11中孔的宽度，则不能保证散热器12的平滑插入。

具体地说，由于与尺寸、光均匀性、及成本有关的问题，通过布置LED难以实现诸如背光灯之类的照明设备。在这种情况下，也难以实现其中红色、绿色、及蓝色LED包括在单一包中的多芯片包。

发明内容

因而，本发明的目的在于，充分消除由于现有技术的限制和缺点造成的一个或多个问题的一种引线框和一种使用它的发光器件包。

本发明的目的在于，提供一种用于发光器件的引线框和一种发光器件包，它们可容易地制造，允许多芯片结构的应用，及发射包括白色光的多种颜色的光。

本发明的另外优点、目的、及特征在随后的描述中部分叙述，并且部分对于本领域的技术人员在检查下文时将成为显然的，或者可以从本发明的实践得知。本发明的目的和其它优点通过在书面描述中和其权利要求书以及附图中具体指出的结构实现和获得。

为了获得这些目标和其他优点，以及根据如这里实施和广义描述的本发明的目的，一种发光器件包，其包括：第一框，包括散热器；第二框，耦合到第一框的上侧，第二框包括至少一对引线和形成有孔的固定件；及模压结构，用来把第一和第二框耦合到彼此。