[发明专利]功率MOSFET芯片的DFN封装结构有效
| 申请号： | 201210302426.3 | 申请日： | 2012-08-23 |
| 公开（公告）号： | CN102842550A | 公开（公告）日： | 2012-12-26 |
| 发明（设计）人： | 胡乃仁;杨小平;李国发;钟利强 | 申请（专利权）人： | 苏州固锝电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 马明渡 |
| 地址： | 215153 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率 mosfet 芯片 dfn 封装 结构 | ||
1. 一种功率MOSFET芯片的DFN封装结构，包括MOSFET芯片（1）、环氧树脂层（2），所述MOSFET芯片上表面（1）设有源极和栅极，下表面设有漏极，其特征在于：还包括导电基盘（3）、第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5），所述导电基盘（3）由散热区（31）和基盘引脚区（32）组成，此基盘引脚区（32）由若干个相间排列的漏极引脚（321）组成，此漏极引脚（321）一端与散热区（31）端面电连接，所述散热区（31）位于MOSFET芯片（1）正下方且与MOSFET芯片（1）下表面之间通过软焊料层（6）电连接；所述第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5）位于MOSFET芯片（1）另一侧，第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5）均包括焊接区（7）和引脚区（8），焊接区（7）与引脚区（8）的连接处具有一折弯部（9），从而使得焊接区（7）高于引脚区（8）；若干根第一金属线（10）跨接于所述MOSFET芯片（1）的源极与第一导电焊盘（4）的焊接区（7）之间，第二金属线（11）跨接于所述MOSFET芯片（1）的栅极与第二导电焊盘（5）的焊接区（7）之间；所述软焊料层（6）由以下质量百分含量的组分组成：铅92.5%，锡5%，银2.5%。
2. 根据权利要求1所述的DFN封装结构，其特征在于：所述第一导电焊盘（4）和第二导电焊盘（5）各自的焊接区（7）与MOSFET芯片位于同一水平面。
3. 根据权利要求1所述的DFN封装结构，其特征在于：所述第一金属线（10）的数目为至少四根。
4. 根据权利要求1所述的DFN封装结构，其特征在于：所述第一导电焊盘（4）的引脚区由至少四根源极引脚组成。
5. 根据权利要求1所述的DFN封装结构，其特征在于：所述第二导电焊盘（5）的引脚区由一根栅极引脚组成。
6. 根据权利要求1所述的DFN封装结构，其特征在于：所述漏极引脚（321）的数目为四根。
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