[发明专利]基板结构及具该基板结构的封装件

说明书

技术领域

本发明有关于一种基板结构及封装件，尤指一种用于覆晶封装的基板结构及封装件。

背景技术

一般覆晶封装件包括覆晶球栅阵列（FCBGA）封装（如图1所示）及覆晶芯片尺寸封装（flip chip chip scale package，FCCSP）两种，其两者差异在于：覆晶球栅阵列（FCBGA）封装的封装基板较大且厚度高，故刚性较强，而多使用在中央处理单元（CPU）及图形处理单元（GPU）的承载及电性连接上，通常覆晶球栅阵列（FCBGA）封装的制法先将半导体芯片11接置于封装基板10上，并于半导体芯片11与封装基板10间以毛细底部填充（CUF）技术填充有保护胶材12，以保护焊球13并使该半导体芯片11的非主动面111裸露，以使该非主动面111做为接置散热件（未图标）之用。

相对地，如图2A与图2B所示，分别为现有覆晶芯片尺寸封装（FCCSP）的封装件的剖视图与封装基板的俯视图，覆晶芯片尺寸封装（FCCSP）用于面积较小且薄的封装基板20，一般用于行动式电子产品中，其封装方式采用所谓的模塑底部填充（MUF）技术，也就是无须如前述覆晶球栅阵列（FCBGA）封装地于半导体芯片与封装基板间填充有保护胶材，而是直接以封装材料（Molding compound）22直接将半导体芯片21完全包覆于封装基板20上，并使该封装材料22填充于半导体芯片21与封装基板20间。覆晶芯片尺寸封装（FCCSP）无需另填充底充保护胶材于半导体芯片与封装基板间，以节省工时及成本，又能直接用封装材料22完全包覆半导体芯片21以保护半导体芯片21不受外界环境破坏，且该封装材料22的刚性较强，所以可使得整个覆晶封装件不易翘曲，进而改善可靠度问题。

于某些情况下，覆晶芯片尺寸封装（FCCSP）用的封装基板20的中央区域的铜层201需部分显露于绝缘保护层23外，以供散热、电性传导或接地等用途。

然而，覆晶芯片尺寸封装（FCCSP）中的半导体芯片21投影至铜层201的边缘位置A处具有较大的应力，故于温度可靠度测试时，该边缘位置A常会发生封装材料22与铜层201剥离的问题，而导致整个封装基板20无法通过可靠度测试。

因此，如何避免上述现有技术中的种种问题，实已成为目前亟欲解决的课题。

发明内容

有鉴于上述现有技术的缺陷，本发明的主要目的在于提供一种基板结构及具该基板结构的封装件，能有效减少封装件的脱层现象，以增进良率。

本发明的基板结构包括：基板结构，其包括：基板本体；金属层，其形成于该基板本体的一表面上；绝缘保护层，其形成于该基板本体的该表面上，且具有外露该金属层的至少一开口；以及至少一置晶区，其定义于该基板本体的该表面，以供于该表面上接置一半导体芯片，其中，一该置晶区对应一该开口，一该置晶区的范围涵盖一该开口的全部，或者，该金属层未超出该置晶区的范围。

本发明还提供一种封装件，其包括：基板本体；金属层，其形成于该基板本体的一表面上；绝缘保护层，其形成于该基板本体的该表面上，且具有外露该金属层的至少一开口；以及至少一半导体芯片，其接置于该金属层上，其中，一该半导体芯片对应一该开口，一该半导体芯片在该基板本体的该表面的投影范围涵盖一该开口的全部，或者，该金属层未超出该半导体芯片在该基板本体的该表面的投影范围。

由上可知，因为本发明使半导体芯片投影至基板本体表面处未存在有外露的金属层，并减少金属层的整体外露面积，所以后续于该金属层上覆盖封装材料后，不易发生现有的封装材料与金属层间的异质接面处的脱层现象(原理为金属与封装材料为异质，其接着性较同质的高分子间的接着性为差，例如：封装材料、绝缘保护层或基板本体表面的介电层（同质类）之间的接着性佳)，进而提升整体良率。

附图说明

图1所示者为现有覆晶球栅阵列封装件的剖视图。

图2A与图2B所示者分别为现有覆晶芯片尺寸封装的封装件的剖视图与封装基板的俯视图。

图3所示者为本发明的基板结构及封装件的第一实施例的剖视图。

图4所示者为本发明的基板结构及封装件的第二实施例的剖视图。

主要组件符号说明

10,20        封装基板

11,21,33     半导体芯片

111          非主动面

12           保护胶材

13,36        焊球

22,34        封装材料

201          铜层