[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底上形成栅极；

在所述栅极两侧形成上窄下宽的侧墙；

在所述半导体衬底、侧墙和栅极表面形成应力层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，在所述栅极两侧形成上窄下宽的侧墙的步骤，包括：

在所述栅极的侧壁下部形成第一侧墙，并且所述第一侧墙暴露所述栅极的侧壁上部的至少一部分；

在所述第一侧墙以及为第一侧墙所暴露的栅极侧壁上形成第二侧墙。

3.如权利要求2所述的形成方法，其特征在于，所述形成第一侧墙的步骤包括：

在所述半导体衬底和栅极上形成第一侧墙层；

在第一侧墙层上形成有机涂层，所述有机涂层表面低于所述栅极的上表面，而部分暴露所述第一侧墙层；

进行回蚀，以去除暴露出来的第一侧墙层，露出栅极的部分侧壁；

去除有机涂层，露出剩下的第一侧墙层；

所述形成第二侧墙的步骤，包括：

在所述第一侧墙层和栅极上形成第二侧墙层；

去除栅极上部的第二侧墙层和半导体衬底上的第二侧墙层和第一侧墙层。

4.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述第一侧墙层和第二侧墙层的材质为氮化硅。

5.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述有机涂层为ODL或者BARC。

6.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成有机涂层的方法为旋涂。

7.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述有机涂层表面低于所述栅极的一半高度处。

8.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，利用湿法刻蚀来进行所述回蚀。

9.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，所述形成所述第二侧墙层的方法为原子层沉积。

10.如权利要求3所述的形成方法，其特征在于，形成有机涂层之后、进行回蚀之前，对暴露出来的第一侧墙层进行氧离子注入，而后进行退火处理。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述应力层为SMT应力层。

12.一种半导体结构，其特征在于，包括：

半导体衬底；

形成在所述半导体衬底上的栅极；

形成在所述栅极两侧的上窄下宽的侧墙，所述侧墙包括第一侧墙与第二侧墙，所述第一侧墙与栅极侧壁的下部相接触，并暴露栅极侧壁的上部；所述第二侧墙形成在第一侧墙外，上方与栅极侧壁的上部相接触；

形成在所述半导体衬底、侧墙和栅极表面的应力层。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述第一侧墙的高度小于所述栅极的高度的一半。