[发明专利]半导体存储器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体存储器件，包括：

多个存储块，所述多个存储块形成于包括源极区的衬底之上并由缝隙彼此隔开；

多个位线，所述多个位线耦接到存储块的串并被设置在所述存储块之上；以及

形成于所述缝隙内的源极接触线，所述源极接触线分别耦接到所述源极区并被设置在与所述多个位线交叉的方向上。

2.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，源极接触线中的每个都为从所述衬底垂直延伸的薄板的形式。

3.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述串的每个包括：

形成于所述源极区之上的下选择晶体管；

形成于所述下选择晶体管之上的上选择晶体管；以及

层叠在所述下选择晶体管和所述上选择晶体管之间的多个存储器单元。

4.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中，所述源极接触线从所述源极区垂直延伸到所述多个存储器单元。

5.如权利要求4所述的半导体存储器件，还包括：

层间电介质层，所述层间电介质层被形成为覆盖所述源极接触线和所述多个位线；

通孔接触插塞，所述通孔接触插塞被形成为穿透所述层间电介质层并分别耦接到所述源极接触线；以及

公共源极线，所述公共源极线被形成于所述层间电介质层上以在与所述源极接触线的延伸方向相同的方向上延伸并且耦接到所述通孔接触插塞。

6.如权利要求5所述的半导体存储器件，其中，所述通孔接触插塞被设置在所述多个位线中的相邻的位线之间。

7.如权利要求4所述的半导体存储器件，还包括：在所述缝隙的每个的内壁与所述源极接触线的每个之间形成的块绝缘层。

8.如权利要求3所述的半导体存储器件，其中，所述源极接触线从所述源极区垂直地延伸到所述下选择晶体管。

9.如权利要求8所述的半导体存储器件，还包括：形成于所述缝隙的每个的内壁和所述源极接触线的每个上的第一块绝缘层。

10.如权利要求9所述的半导体存储器件，还包括：

第二块绝缘层，所述第二块绝缘层被形成于所述第一块绝缘层和所述源极接触线之上并形成为填充所述缝隙；

第一通孔接触插塞，所述第一通孔接触插塞被形成为穿透所述第二块绝缘层并分别耦接到所述源极接触线；

层间电介质层，所述层间电介质层被形成为覆盖所述第一通孔接触插塞和所述多个位线；

第二通孔接触插塞，所述第二通孔接触插塞被形成为穿透所述层间电介质层并分别耦接到所述第一通孔接触插塞；以及

公共源极线，所述公共源极线被形成于所述层间电介质层上以在与所述源极接触线的延伸方向相同的方向上延伸并且耦接到所述第二通孔接触插塞。

11.如权利要求10所述的半导体存储器件，其中，所述第一通孔接触插塞和所述第二通孔接触插塞被设置在所述多个位线中的相邻的位线之间。

12.如权利要求1所述的半导体存储器件，其中，所述源极区的每个都为形成于所述衬底上的掺杂多晶硅层。

13.如权利要求12所述的半导体存储器件，还包括：

源极沟槽，所述源极沟槽被形成为穿透所述缝隙之下的所述掺杂多晶硅层；

粘合层，所述粘合层被形成于所述源极沟槽的每个的表面上；以及

下源极接触线，所述下源极接触线被形成于所述粘合层上并被形成为填充各个所述源极沟槽。

14.一种制造半导体存储器件的方法，包括以下步骤：

在包括源极区的衬底上形成由缝隙彼此隔开的多个存储块；

形成源极接触线，所述源极接触线被设置在所述缝隙内并分别耦接到所述源极区；以及

在包括所述源极接触线的结构之上形成多个位线。

15.如权利要求14所述的方法，其中，形成由所述缝隙彼此隔开的多个存储块的步骤包括以下步骤：

在所述源极区之上形成多个下选择晶体管；

在所述多个下选择晶体管之上形成多层存储器单元；

经由所述存储块的所述缝隙分离所述多个下选择晶体管和所述多层存储器单元；以及

在由所述缝隙分离的所述多层存储器单元之上形成多个上选择晶体管。