[发明专利]一种氮化物外延生长用图形衬底的制作方法

权利要求书

1.一种氮化物外延生长用图形衬底的制作方法，该方法包括以下步骤：

    1）在衬底（20）上均匀涂布一层抗蚀剂（21）；

    2）将预先形成图形的压印模板（22）压到抗蚀剂（21）上；

3）采用物理或者化学的方法使抗蚀剂（21）硬化，并移除压印模板（22）；

4）对形成图形的抗蚀剂（21）的表面实施灰化处理，去除部分抗蚀剂（21）使得此部分的衬底（20）暴露出来，抗蚀剂（21）在衬底（20）上形成抗蚀剂掩膜（23）；

5）将抗蚀剂（21）上的图形转移到衬底（20）上；

6）去除抗蚀剂掩膜（23），完成对衬底（20）的图形化制作。

2.根据权利要求1所述的氮化物外延生长用图形衬底的制作方法，其特征在于，所述衬底（20）采用蓝宝石Al2O3、碳化硅SiC、硅Si、氧化锌ZnO、砷化镓GaAs或者自支撑氮化镓GaN中的一种。

3.根据权利要求1或2所述的氮化物外延生长用图形衬底的制作方法，其特征在于，所述抗蚀剂（21）采用有机聚合物、光硬化树脂、热塑性树脂或者溶胶-凝胶材料。

4.根据权利要求3所述的氮化物外延生长用图形衬底的制作方法，其特征在于，所述压印模板（22）采用石英材料、环氧树脂或者硅胶材料，将压印模板（22）压到抗蚀剂（21）上采用纳米压印的方法。

5.根据权利要求4所述的氮化物外延生长用图形衬底的制作方法，其特征在于，所述使抗蚀剂（21）硬化采用紫外光光辐射的方法。

6.根据权利要求5所述的氮化物外延生长用图形衬底的制作方法，其特征在于，所述对抗蚀剂（21）表面进行灰化处理采用刻蚀的方法。

7.根据权利要求6所述的氮化物外延生长用图形衬底的制作方法，其特征在于，所述将抗蚀剂（21）上的图形转移到衬底（20）上采用刻蚀或者剥离技术，对衬底（20）进行干法或者湿法的刻蚀得到相应的图形；或者采用剥离工艺，先在器件表面蒸镀一层金属，然后用有机溶剂溶解掉抗蚀剂掩膜（23），随之抗蚀剂掩膜（23）表面上的金属也将被剥离，只在衬底（20）上有金属作为掩膜，随后再进行刻蚀得到图形。

8.根据权利要求7所述的氮化物外延生长用图形衬底的制作方法，其特征在于，所述干法刻蚀采用反应离子RIE或者感应耦合离子ICP设备进行干法刻蚀，所述湿法刻蚀采用浓硫酸与浓磷酸进行湿法刻蚀。