[发明专利]一种AlN晶体的制备方法有效
| 申请号： | 201210093222.3 | 申请日： | 2012-03-31 |
| 公开（公告）号： | CN102618930A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 韩杰才;宋波;赵超亮;张幸红;张化宇;张宇民 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学 |
| 主分类号： | C30B29/38 | 分类号： | C30B29/38;C30B23/00 |
| 代理公司： | 哈尔滨市松花江专利商标事务所 23109 | 代理人： | 韩末洙 |
| 地址： | 150001 黑龙*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 aln 晶体 制备 方法 | ||
1.一种AlN晶体的制备方法，采用物理气相传输法制备AlN单晶，其特征在于AlN晶体的制备方法是通过以下步骤实现的：
一、将AlN粉末置于坩埚中，然后将籽晶固定在坩埚顶部，籽晶与AlN粉末的距离不大于10mm，再把坩埚放到单晶生长炉中，向坩埚内通入氮气，在1个大气压的氮气气氛下，以50℃/h～200℃/h的升温速率，加热升温至1800℃～2000℃，并保温1～5小时，完成AlN粉末的预烧结；
二、将坩埚内预烧结后的AlN粉末在1个大气压的高纯氮气气氛下，以50℃/h～200℃/h的升温速率，加热升温至2150℃～2500℃，进行保温反应8～20小时，再以50℃/h～200℃/h的降温速率，降至室温，得到AlN晶体；
步骤一中所述籽晶为零微管偏角度SiC籽晶或SiC/AlN复合籽晶，其中零微管偏角度SiC籽晶的晶型为6H-，偏角度是指SiC偏离面0°～8°的角度。
2.根据权利要求1所述的一种AlN晶体的制备方法，其特征在于步骤一中控制籽晶与AlN粉末的距离为5～9mm。
3.根据权利要求2所述的一种AlN晶体的制备方法，其特征在于步骤一中SiC/AlN复合籽晶是通过金属有机物化学气相沉积法，在零微管偏角度SiC衬底上外延生长AlN缓冲层制备而成。
4.根据权利要求3所述的一种AlN晶体的制备方法，其特征在于步骤一中所述籽晶的直径为1英寸、2英寸或3英寸。
5.根据权利要求1所述的一种AlN晶体的制备方法，其特征在于步骤一中所述零微管偏角度SiC的偏角度是指SiC偏离的角度。
6.根据权利要求1所述的一种AlN晶体的制备方法，其特征在于步骤一中所述零微管偏角度SiC的偏角度是指SiC偏离的角度。
7.根据权利要求1或2所述的一种AlN晶体的制备方法，其特征在于步骤二中加热升温至2200℃～2450℃，进行保温反应8～20小时。
8.根据权利要求1或2所述的一种AlN晶体的制备方法，其特征在于步骤二中加热升温至2250℃～2400℃进行保温反应8～20小时。
9.根据权利要求1或2所述的一种AlN晶体的制备方法，其特征在于步骤二中加热升温至2300℃，进行保温反应8～20小时。
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