[发明专利]用于倒装芯片封装的加强结构

说明书

技术领域

本发明涉及半导体领域，更具体地，本发明涉及一种加强结构。

背景技术

半导体集成电路(IC)工业经历了快速的发展。IC材料和设计中的技术进步产生出了一代又一代IC，每代IC都比前一代IC更小更复杂。然而，这些改进同时还增加了处理和制造IC的复杂程度，对于这些即将实现的改进，需要在IC处理和制造中进行类似的改进。在IC的发展期间，随着几何尺寸(即，利用制造工艺可以形成的最小元件)的减小，功能密度(即，单位芯片面积的互连器件的数量)通常会增大。随着几何尺寸越来越小，IC的封装工艺变得越发困难。现如今的其中一种封装工艺使用了“倒装芯片”技术，在这种技术中，需要将IC翻转，并将其与载体基板相接合。现有的倒装芯片接合工艺中的温度波动可能会产生过多的热应力，从而可能会导致IC封装的翘曲。因此，尽管现有的IC封装通常足以达到其预期目的，但是无法在各个方面都完全令人满意。

发明内容

为了解决现有技术中所存在的问题，根据本发明的一个方面，提供了一种器件，包括：载体基板，具有芯片区域和外围区域，其中，所述载体基板包括加强结构，所述加强结构嵌入在所述外围区域中；以及芯片，接合到所述载体基板的所述芯片区域。

在该器件中，所述加强结构具有金属，所述金属是铜。

在该器件中，所述载体基板包括第一表面和第二表面，所述第二表面与所述第一表面相对，所述加强结构在所述载体基板中从所述第一表面延伸到所述第二表面，所述芯片包括有源表面和与所述有源表面相对的另一表面，其中，所述芯片的所述有源表面电连接到所述载体基板的所述第一表面或所述第二表面。

在该器件中，所述加强结构包围所述芯片，或者所述加强结构包括多个柱状物，所述多个柱状物位于所述载体基板中，所述多个柱状物包围所述芯片，或者所述加强结构置于所述载体基板的角落中，所述加强结构为L形。

在该器件中，所述载体基板是层压基板，所述层压基板包括双马来酰亚胺三嗪(BT)。

根据本发明的另一方面，提供了一种封装基板，包括：层压基板，包括芯片区域和外围区域，所述芯片区域被配置为接合到芯片；以及加强结构，嵌入在所述层压基板的所述外围区域中。

在该封装基板中，所述加强结构包括多个柱状物结构，所述多个柱状物结构包围所述芯片区域。

在该封装基板中，所述加强结构位于所述层压基板的角落中；或者所述层压基板包括多个介电层，所述多个介电层中设置有多个金属层，其中，所述加强结构延伸穿过所述多个介电层；或者所述加强结构具有金属。

根据本发明的又一方面，提供一种方法，包括：提供载体基板，所述载体基板包括芯片区域和外围区域，其中，所述载体基板包括嵌入在所述外围区域中的加强结构；以及将芯片接合到所述载体基板的所述芯片区域。

在该方法中，接合所述芯片的步骤包括：实施倒装芯片接合工艺；或者提供所述载体基板的步骤包括：形成层压基板，其中，当形成所述层压基板时，形成所述加强结构。

附图说明

根据以下结合附图的详细描述可以最好地理解本发明。需要强调的是，根据工业中的标准实践，各种不同部件没有按比例绘制，并且只是用于图示的目的。实际上，为了使论述清晰，可以任意增加或减小各种部件的数量和尺寸。

图1A是根据本发明实施例的包含带有加强结构的载体基板的器件的俯视图。

图1B是沿着图1A的线1B-1B截取的器件的横截面侧视图。

图2A是根据本发明另一实施例的包含带有加强结构的载体基板的器件的俯视图。

图2B是沿着图2A的线2B-2B截取的器件的横截面侧视图。

图3是示出了根据本发明各个方面的形成器件的方法的流程图。

图4A-图4B是根据图3的方法实施例的各个阶段中的器件的横截面侧视图。

具体实施方式

为了实现本发明的不同特征，以下公开的内容提供了多个不同的实施例或者实例。下文中描述了元件和布置方式的具体实例，从而简化了本发明。当然，上述具体实例仅仅是举例，并不意在进行限定。例如，关于第一元件在第二元件“之上”或者“上方”的描述(以及类似描述)可以包括第一元件和第二元件直接接触的实施例，还可以包括在第一元件和第二元件之间插入有附加元件的实施例。另外，本发明可以在各个实例中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清晰的目的，并且没有在本质上表示各个实施例和/或所讨论配置之间的关系。