[发明专利]半导体装置及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，该半导体装置在同一半导体衬底上具有晶体管元件、电容元件以及电阻元件，其特征在于，该制造方法包括以下步骤：

步骤a，在半导体衬底上形成有源区域和具有高于所述有源区域的表面高度的表面的元件分离区域；

步骤b，在沿着所述有源区域上的所述半导体衬底的一个主面形成的第一导电型的阱区域上形成所述晶体管元件的栅氧化膜；

步骤c，在所述半导体衬底上形成第一多晶硅膜；

步骤d，对所述第一多晶硅膜进行图案化，由此在所述有源区域形成所述晶体管元件的栅电极和所述电容元件的下部电极；

步骤e，向所述栅电极和下部电极导入第二导电型杂质；

步骤f，将所述栅电极作为掩模，向所述第一导电型的阱区域表面导入第二导电型杂质，形成所述晶体管元件的源区以及漏区；

步骤g，在所述电容元件的下部电极上形成电容绝缘膜；

步骤h，在所述半导体衬底上形成第二多晶硅膜；

步骤i，对所述第二多晶硅膜进行图案化，由此形成所述电容元件的上部电极和所述电阻元件；

步骤j，向所述上部电极导入第二导电型杂质；

步骤k，向所述电阻元件导入第一导电型杂质；

步骤l，在所述半导体衬底上形成第一层间绝缘膜；

步骤m，至少将所述第一层间绝缘膜和所述电阻元件削至所述电阻元件成为期望的膜厚；

步骤n，在所述半导体衬底上形成第二层间绝缘膜；以及

步骤o，在所述第二层间绝缘膜形成接触孔。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

采用LOCOS法来形成所述步骤a的元件分离区域。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

采用作为现有的平坦化技术的CMP法来进行所述步骤m。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

将所述第一层间绝缘膜作为平坦化膜，在所述步骤m中使用回蚀。

5.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

同时进行所述步骤e和所述步骤f、或者所述步骤f和所述步骤j。

6.一种半导体装置，该半导体装置在同一半导体衬底上具有晶体管元件、电容元件以及电阻元件，其特征在于，该半导体装置具有：

半导体衬底；

配置在所述半导体衬底上的第一有源区域以及第二有源区域和表面高度高于所述有源区域的表面高度的元件分离区域；

沿着所述第一有源区域上的所述半导体衬底的一个主面形成的第一导电型的阱区域；

配置在所述阱区域上的栅氧化膜；

由第一多晶硅膜形成的配置在所述栅氧化膜上的栅电极以及配置在所述第二有源区域上的用于电容元件的下部电极；

隔着所述栅电极配置在所述阱区域表面的第二导电型的源区以及漏区；

配置在所述下部电极上的电容绝缘膜；以及

由第二多晶硅膜形成的配置在所述电容绝缘膜上的用于所述电容元件的上部电极以及配置在所述元件分离区域上的电阻元件，

构成所述电阻元件的所述第二多晶硅膜的厚度比构成所述上部电极的所述第二多晶硅膜的厚度薄，

所述电阻元件的上部表面位于比所述上部电极的上部表面高的位置或者处于相同的高度。