[发明专利]半导体开关以及无线设备

说明书

相关申请的交叉引用

本申请基于2011年8月31日提交的日本专利申请2011-189411和2011年12月13日提交的日本专利申请2011-272109并要求其优先权，这些申请的全部内容以引用的方式并入于此。

技术领域

本发明总体而言涉及半导体开关以及无线设备。

背景技术

半导体开关用于各种电子设备。例如，在便携式电话机的高频电路部中，发送电路和接收电路经由高频开关电路与共用的天线选择性地连接。作为这种高频开关电路的开关元件，使用形成在SOI(Silicon On Insulator：绝缘体上硅)基板上的MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field-EffectTransistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。

发明内容

本发明的实施方式提供一种改善高频特性的半导体开关以及无线设备。

根据实施方式，提供一种具备电源电路、驱动电路、开关部和第1电位控制电路的半导体开关。所述电源电路具有生成负的第1电位的第1电位生成电路、以及生成对电源电位进行降压而得到的正的第2电位的第2电位生成电路。所述驱动电路被供给所述第1电位和第3电位，基于端子切换信号，输出所述第1电位以及所述第3电位中的至少一方。所述开关部按照所述驱动电路的输出，将共用端子与多个高频端子中的某一个连接。所述第1电位控制电路具有分割所述第1电位与所述第2电位的电位差的分割电路、以及控制所述第1电位以使由所述分割电路分割后得到的电位与基准电位的电位差变小的放大电路。

根据本发明的实施方式，能够提供一种改善了高频特性的半导体开关以及无线设备。

附图说明

图1是例示第1实施方式所涉及的半导体开关的模块图。

图2是例示第1实施方式中的开关部的电路图。

图3是例示第1实施方式中的开关部的三次谐波失真的截断电位Voff依赖性的特性图。

图4是例示改变输入功率Pin时的三次谐波失真的截断电位Voff依赖性的特性图。

图5是例示第1实施方式中的接口电路以及驱动电路的电路图。

图6是例示电平移位电路的电路图。

图7是例示第1实施方式中的电源电路的第1电位生成电路的电路图。

图8是例示第1实施方式中的第1电位控制电路的电路图。

图9是比较例的钳位电路的电路图。

图10是例示第2实施方式中的第1电位控制电路的电路图。

图11是例示第3实施方式所涉及的半导体开关的模块图。

图12是例示第3实施方式中的第1电位控制电路的电路图。

图13是例示第4实施方式所涉及的半导体开关的模块图。

图14是例示第4实施方式中的接口电路的电路图。

图15是例示第4实施方式中的第1电位生成电路的电路图。

图16是例示第4实施方式中的第1电位控制电路的电路图。

图17是例示第5实施方式中的第1电位生成电路的振荡电路的电路图。

图18是例示第6实施方式中的第1电位生成电路的振荡电路的电路图。

图19是例示第7实施方式所涉及的半导体开关的模块图。

图20是例示电平移位电路的其他电路图。

图21是例示第7实施方式中的第3电位生成电路的电路图。

图22是例示第7实施方式中的第2电位控制电路的电路图。

图23是例示第8实施方式所涉及的半导体开关的模块图。

图24是例示第8实施方式中的电源接通检测电路的电路图。

图25是例示第9实施方式所涉及的半导体开关的模块图。

图26是例示第9实施方式中的第2电位控制电路的电路图。

图27是例示第9实施方式中的第2电位控制电路的主要信号的时间图，(a)是第3电位Vp，(b)是第2电位控制电路的输出信号S3。

图28是第10实施方式中的第1晶体管的等效电路图。

图29是例示第10实施方式中的第1晶体管的布局的俯视图。

图30是例示第11实施方式所涉及的无线设备的模块图。

具体实施方式

以下，参照附图详细说明实施方式。其中，在本申请说明书和各图中，对于与之前的附图中已述的要素相同的要素赋予相同的符号，并适当省略详细的说明。

首先，说明第1实施方式。

图1是例示第1实施方式所涉及的半导体开关的模块图。