[发明专利]半导体开关以及无线设备有效
| 申请号: | 201210055846.6 | 申请日: | 2012-03-05 |
| 公开(公告)号: | CN102970018A | 公开(公告)日: | 2013-03-13 |
| 发明(设计)人: | 濑下敏树 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
| 主分类号: | H03K17/693 | 分类号: | H03K17/693;H04B1/40 |
| 代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人: | 杨谦;胡建新 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 开关 以及 无线 设备 | ||
1.一种半导体开关,其特征在于,具备:
电源电路,具有生成负的第1电位的第1电位生成电路、以及生成对电源电位进行降压而得到的正的第2电位的第2电位生成电路;
驱动电路,被供给所述第1电位和第3电位,基于端子切换信号输出所述第1电位以及所述第3电位中的至少一方;
开关部,按照所述驱动电路的输出,将共用端子与多个高频端子中的某一个连接;以及
第1电位控制电路,具有对所述第1电位与所述第2电位的电位差进行分割的分割电路、以及控制所述第1电位以使所述分割电路分割后得到的电位与基准电位的电位差变小的放大电路。
2.如权利要求1所述的半导体开关,其特征在于,
所述分割电路连接在所述第2电位生成电路的输出与所述第1电位生成电路的输出之间,具有二极管接法的第1晶体管;
所述放大电路具有与所述第1晶体管构成电流镜的第2晶体管。
3.如权利要求2所述的半导体开关,其特征在于,
所述分割电路还具有与所述第1晶体管串联连接的第1电阻,将所述第1电位与所述第2电位的电位差分割成一比一。
4.如权利要求1所述的半导体开关,其特征在于,
所述基准电位按照所述端子切换信号,变化为接地电位或者与所述接地电位不同的电位。
5.如权利要求1所述的半导体开关,其特征在于,
所述第1电位生成电路具有动作模式和睡眠模式的功能;
所述第1电位控制电路在所述睡眠模式时,将从所述第2电位供给的电流截断。
6.如权利要求5所述的半导体开关,其特征在于,
所述第1电位控制电路与所述第2电位生成电路的输出之间在所述睡眠模式时成为高阻抗状态。
7.如权利要求5所述的半导体开关,其特征在于,
所述第1电位生成电路在所述睡眠模式时停止所述第1电位的生成。
8.如权利要求7所述的半导体开关,其特征在于,
所述第1电位生成电路具有:
环形振荡器,在所述睡眠模式时停止振荡;
输出缓冲器,与所述环形振荡器的输出连接;以及
电位保持电路,在所述睡眠模式时将所述输出缓冲器的输入保持为所述第2电位或者接地电位。
9.如权利要求5所述的半导体开关,其特征在于,
所述第1电位生成电路具有在所述睡眠模式时停止振荡的环形振荡器。
10.如权利要求5所述的半导体开关,其特征在于,
所述睡眠模式中的所述第1电位生成电路的电流供给能力比所述动作模式中的所述第1电位生成电路的电流供给能力小。
11.如权利要求5所述的半导体开关,其特征在于,
所述第1电位生成电路具有所述睡眠模式时的电流供给能力比所述动作模式时的电流供给能力小的环形振荡器。
12.如权利要求5所述的半导体开关,其特征在于,还具备:
第3电位生成电路,生成所述第2电位以上的所述第3电位,所述睡眠模式时的电流供给能力比所述动作模式时的电流供给能力小;以及
第2电位控制电路,连接在所述第3电位生成电路的输出与接地之间,在所述动作模式时使所述第3电位稳定,在所述睡眠模式时与所述第3电位生成电路之间成为高阻抗状态。
13.如权利要求12所述的半导体开关,其特征在于,
在从电源接通时开始到所述第3电位达到恒定值为止的期间,使所述第1电位控制电路和所述第2电位控制电路成为高阻抗状态。
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