[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

第一装置区域，其形成在半导体衬底中并且由装置隔离区域限定；

第一导电样式的第一晶体管，其包括形成在所述第一装置区域上的第一栅极电极、在所述第一栅极电极的第一侧上形成在所述第一装置区域中的第一源极区域、以及在所述第一栅极区域的第二侧上形成在所述第一装置区域中的第一漏极区域；

第一图案，其在所述第一栅极电极的第一侧上形成在所述装置隔离区域上，并与所述第一栅极电极平行；

绝缘区域，其形成在所述半导体衬底上方，并覆盖所述第一晶体管和所述第一图案；以及

第一导体插头，其埋入到第一接触孔中以向下到达所述第一源极区域，

其中，所述第一导体插头电连接到接地线和电源线中的一者，并且所述第一图案电连接到所述接地线和所述电源线中的另一者。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其还包括：

第二图案，其在所述第一栅极电极的第二侧上形成在所述装置隔离区域上，并与所述第一栅极电极平行；以及

第二导体插头，其埋入到第二接触孔中以向下到达所述第一漏极区域，其中，

所述第二导体插头电连接到信号线，并且

所述第二图案电浮动。

3.根据权利要求2所述的半导体装置，其还包括：

第二装置区域，其形成在所述第二图案的第二侧上并且由所述装置隔离区域限定；

第一导电样式的第二晶体管，其包括形成在所述第二装置区域上并与所述第二图案平行的第二栅极电极、在所述第二栅极电极的第一侧上形成在所述第二装置区域中的第二漏极区域、以及在所述第二栅极区域的第二侧上形成在所述第二装置区域中的第二源极区域；

第三图案，其在所述第二栅极电极的第二侧上形成在所述装置隔离区域上，并与所述第二栅极电极平行；以及

第三导体插头，其埋入到第三接触孔中以向下到达所述第二源极区域，其中，

所述第三导体插头电连接到所述接地线和所述电源线中的一者，并且

所述第三图案电连接到所述接地线和所述电源线中的另一者。

4.根据权利要求2所述的半导体装置，其还包括：

第二装置区域，其形成在所述第二图案的第二侧上并且由所述装置隔离区域限定；

第二导电样式的第二晶体管，所述第二导电样式与所述第一导电样式相反，所述第二晶体管包括形成在所述第二装置区域上并与所述第二图案平行的第二栅极电极、在所述第二栅极电极的第一侧上形成在所述第二装置区域中的第二漏极区域、以及在所述第二栅极区域的第二侧上形成在所述第二装置区域中的第二源极区域；

第三图案，其在所述第二栅极电极的第二侧上形成在所述装置隔离区域上，并与所述第二栅极电极平行；

第三导体插头，其埋入到第三接触孔中以向下到达所述第二源极区域，其中，

所述第三导体插头电连接到所述接地线和所述电源线中的所述另一者，并且

所述第三图案电连接到所述接地线和所述电源线中的所述一者。

5.根据权利要求1所述的半导体装置，其还包括：

第二装置区域，其形成为与所述第一装置区域沿着所述第一栅极电极的纵向分离并且由所述装置隔离区域限定；

第二导电样式的第二晶体管，所述第二导电样式与所述第一导电样式相反，所述第二晶体管包括形成在所述第二装置区域上的第二栅极电极、在所述第二栅极电极的第一侧上形成在所述第二装置区域中的第二漏极区域、以及在所述第二栅极区域的第二侧上形成在所述第二装置区域中的第二源极区域；

第二图案，其在所述第二栅极电极的第二侧上形成在所述装置隔离区域上，并与所述第二栅极电极平行；以及

第二导体插头，其埋入到第二接触孔中以向下到达所述第二源极区域，其中

所述第二导体插头电连接到所述接地线和所述电源线中的所述另一者，并且

所述第二图案电连接到所述接地线和所述电源线中的所述一者。